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场效应MOS管STW19NM60N参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.285ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW19NM60N是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于多个领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STW19NM60N在开关电源中,常用于高效能转换和调节电压。其高效率和低导通电阻特性使其成为开关电源设计中的理想选择,有助于减少能量损耗和热量产生。

    2. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV):在电动和混合动力汽车的动力系统中,STW19NM60N用于驱动电机和电池管理系统。其高耐压和高电流处理能力确保了系统的可靠性和性能。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STW19NM60N用于逆变器部分,将直流电转换为交流电。其高效率和低开关损耗特性对提高系统整体效率至关重要。

    4. 工业控制系统:在工业自动化和控制系统中,STW19NM60N用于各种电机控制和驱动电路。其快速开关能力和高耐用性确保了系统的稳定运行。

    5. 消费电子产品:STW19NM60N也广泛应用于各类消费电子产品中,如电视机、音响设备和电脑电源供应器。其小体积和高效率特性有助于设备的小型化和高效能设计。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:STW19NM60N的漏源电压(V_DS)高达600V,使其能够在高压环境下可靠工作。这一特性使其特别适合于需要处理高电压的应用场景,如开关电源和逆变器。

    - 导通电阻:其典型导通电阻(R_DS(on))仅为0.19Ω,在低导通损耗方面表现优异。这有助于提高系统的整体效率,并减少功率损耗。

    - 开关速度:STW19NM60N具有快速开关速度,这对于需要高频率操作的应用非常重要。其快速开关能力减少了开关损耗,提高了效率。

    - 封装形式:该器件采用TO-247封装,具有良好的热管理特性。TO-247封装有助于散热,确保器件在高功率应用中的可靠性。

    - 电流处理能力:STW19NM60N的最大漏极电流(I_D)为19A,使其能够处理较高的电流需求,适用于需要大电流处理的应用场景。

    综上所述,STW19NM60N凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关速度、优良的热管理和高电流处理能力,成为各种高性能电力电子系统中的理想选择。其在开关电源、电动汽车、太阳能逆变器、工业控制系统和消费电子产品中的广泛应用,充分展示了其卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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