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场效应MOS管STW18NM60N参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.285ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW18NM60N是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效开关的电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STW18NM60N常用于开关电源中的功率转换器件,如DC-DC转换器、AC-DC转换器。其低导通电阻和快速开关速度使其在高频操作中具有极高的效率,减少能量损耗。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统和驱动系统中,STW18NM60N被用作主开关和保护元件。它能够承受高电流和高电压,确保系统的可靠性和安全性。

    3. 工业自动化:工业自动化设备,如变频器和伺服驱动器,经常需要高效和可靠的功率开关器件。STW18NM60N凭借其优越的性能,成为这些系统中的关键组件。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STW18NM60N用于将直流电转换为交流电。其高效率和耐用性使其在这类应用中非常受欢迎。

    5. 不间断电源(UPS):不间断电源系统需要高效的开关元件来保证电力的连续供应。STW18NM60N因其高可靠性和快速响应能力,被广泛应用于UPS系统中。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STW18NM60N的最大导通电阻仅为0.18Ω(@10V),这意味着它在导通状态下具有较低的功率损耗,提升整体系统的效率。

    - 漏源电压(VDSS):该器件的漏源电压高达600V,使其能够在高电压环境中稳定运行,适合用于高压应用场景。

    - 额定电流(ID):STW18NM60N的连续漏极电流为18A(@25°C),这使其能够处理较大的电流负载,适应各种高功率应用。

    - 栅极电荷(Qg):STW18NM60N的栅极电荷为85nC,这一较低的数值有助于提高开关速度,减少开关损耗,使其在高频应用中表现优异。

    - 热阻(RθJC):该器件的结壳热阻为0.4°C/W,良好的热性能确保在高功率条件下稳定工作,减少过热风险。

    综上所述,STW18NM60N凭借其低导通电阻、高漏源电压、大电流处理能力、低栅极电荷和优异的热性能,成为高效电源管理和高性能电力电子设备中的理想选择。其在开关电源、电动汽车、工业自动化、太阳能逆变器和不间断电源等领域的广泛应用,充分证明了其卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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