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场效应MOS管STW18NK60Z参数

PD最大耗散功率:230WID最大漏源电流:16AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.36ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW18NK60Z是一种性能优越的功率MOSFET,广泛应用于多种电力电子和工业控制领域。下面将详细介绍STW18NK60Z的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STW18NK60Z常用于开关电源和DC-DC转换器。这些设备需要高效的功率开关来提高转换效率并减少能量损耗。STW18NK60Z具有低导通电阻和高开关速度,非常适合这些应用。

    2. 电机控制:在工业和家用电器中,电机驱动电路需要可靠的功率MOSFET来控制电机的启动、停止和速度调节。STW18NK60Z由于其高电流处理能力和耐高压特性,能够提供稳定的电机控制性能。

    3. 不间断电源(UPS):STW18NK60Z也广泛用于UPS系统中,以确保在电源故障时提供持续的电力供应。它的高可靠性和高效率使其成为这一应用的理想选择。

    4. 太阳能逆变器:在可再生能源系统中,STW18NK60Z用于太阳能逆变器中,将直流电转换为交流电。其高耐压性和高效率有助于最大化能源利用率。

    5. 电动汽车:随着电动汽车的发展,STW18NK60Z在电池管理系统和电力驱动系统中也发挥着重要作用。它的高开关速度和低功耗特性,使其在这些应用中表现出色。

    二、参数特点:

    - 导通电阻低:STW18NK60Z的典型导通电阻仅为0.18欧姆,这意味着在导通状态下的电能损耗非常低,有助于提高整体效率。

    - 高电流处理能力:该器件的连续漏极电流为18A,能够处理较高的电流需求,适用于大功率应用场景。

    - 耐高压:STW18NK60Z的漏源击穿电压为600V,能够承受高压环境,确保在高压应用中的可靠性和稳定性。

    - 开关速度快:STW18NK60Z具有快速的开关特性,能够在极短的时间内完成开关操作,这对提高系统的响应速度和效率非常重要。

    - 封装形式:STW18NK60Z采用TO-220封装,具有良好的散热性能和机械强度,方便安装和使用。

    通过以上分析,STW18NK60Z凭借其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为工业和电力电子领域的重要元器件。无论是电源管理、电机控制,还是太阳能逆变器和电动汽车,STW18NK60Z都能提供可靠、高效的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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