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场效应MOS管STW16NM50N参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:15AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.26ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW16NM50N是一款高效能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统。本文将详细介绍STW16NM50N的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STW16NM50N在开关电源中扮演重要角色,尤其是在高频开关应用中。由于其低导通电阻和快速开关速度,它能够有效提高电源的转换效率,减少能量损耗。典型应用包括计算机电源、通信设备电源和工业控制电源等。

    2. 电动汽车(EV)充电器:电动汽车充电器需要高效且可靠的功率转换器件。STW16NM50N以其高耐压和低导通电阻,能够满足电动汽车充电器的严格要求,提供稳定的电流输出,同时提高充电效率,缩短充电时间。

    3. 照明系统:在现代LED照明系统中,STW16NM50N用于驱动电路中。它的高开关速度和低热损耗特性,使其能够在高频开关操作中保持低温运行,从而延长LED灯具的使用寿命,提高能效。

    4. 太阳能逆变器:STW16NM50N在太阳能逆变器中的应用尤为重要。其高耐压和低导通电阻特性,使得它能在高功率、高频率的逆变过程中,提供高效、可靠的电能转换,从而提高太阳能发电系统的整体效率。

    5. 不间断电源(UPS):STW16NM50N也广泛应用于UPS系统中。UPS需要快速响应电压变化,以确保关键设备在电源故障时能够继续正常运行。该器件的快速开关速度和高可靠性,保证了UPS系统的稳定性和高效能。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STW16NM50N具有极低的导通电阻,典型值为0.28Ω。这意味着在大电流通过时,能量损耗非常低,从而提高整体系统的效率。

    - 击穿电压(VDS):其击穿电压为500V,这使得STW16NM50N能够在高压应用中安全运行,适用于各种高压电源转换和控制应用。

    - 栅极电荷(Qg):该器件的栅极电荷为61nC,较低的栅极电荷使得STW16NM50N能够在高频开关操作中快速响应,减少开关损耗,提高效率。

    - 最大漏极电流(ID):STW16NM50N的最大漏极电流为16A,能够处理较大的电流负载,适合大功率应用。

    - 热阻(RthJC):其结到壳的热阻为1.25°C/W,低热阻意味着STW16NM50N在高功率操作中能够有效散热,避免过热,确保长期可靠运行。

    通过以上对STW16NM50N应用场景和参数特点的详细介绍,可以看出其在现代电子设备和电源管理系统中具有重要的应用价值和卓越的性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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