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场效应MOS管STW16NK60Z参数

PD最大耗散功率:190WID最大漏源电流:14AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.42ΩVRDS(ON)ld通态电流:7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STW16NK60Z是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),在各种应用中被广泛使用。其主要特性和应用场景如下:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STW16NK60Z常用于开关电源的主开关元件。由于其出色的开关性能和低导通电阻,能够在高频操作下有效地减少功率损耗,从而提高电源效率。

    2. 电机驱动控制:在电机驱动应用中,STW16NK60Z被用作逆变器电路中的开关元件。其高耐压特性和强大的电流处理能力,使其能够在各种电机驱动环境中稳定运行。

    3. 不间断电源(UPS):STW16NK60Z在UPS系统中发挥重要作用,特别是在逆变器部分。其高效的电流处理能力和可靠的开关特性,使其在电力供应稳定性方面表现出色。

    4. 电池管理系统(BMS):在电池管理系统中,STW16NK60Z作为保护和开关元件,能够在高电压条件下提供可靠的过电流和短路保护,确保电池系统的安全性和稳定性。

    5. 照明系统:STW16NK60Z也应用于高效的LED驱动电路中。其高开关速度和低导通损耗,有助于提高照明系统的整体能效和可靠性。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:STW16NK60Z的漏源极电压(Vds)额定值高达600V,这使得它能够在高电压应用中表现出色,特别适用于工业和消费电子设备的高压部分。

    - 低导通电阻:该MOSFET的典型导通电阻(Rds(on))仅为0.28Ω(在10V栅极驱动电压下)。低导通电阻有助于降低导通损耗,从而提高整体系统的效率。

    - 高脉冲电流能力:STW16NK60Z具有高达64A的脉冲漏极电流(Id)能力,使其在处理瞬态高电流时表现优异,适用于高峰值电流的应用场景。

    - 快速开关特性:由于其快速的开关速度,STW16NK60Z能够在高频操作中减少开关损耗,这在开关电源和逆变器应用中尤为重要。

    - 热性能:STW16NK60Z具有良好的热性能,其结温可达150°C。这种热耐受能力确保其在高功率、高温环境中也能稳定运行。

    综上所述,STW16NK60Z是一款性能优异的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种高压和高功率场景。其高耐压能力、低导通电阻、快速开关特性和良好的热性能,使其在开关电源、电机驱动、不间断电源、电池管理系统以及照明系统中都能表现出色。无论是在工业应用还是消费电子领域,STW16NK60Z都是一款可靠且高效的选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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