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场效应MOS管STW13NM50N参数

PD最大耗散功率:100WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.32ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW13NM50N是一种N沟道功率MOSFET,其在多种电源管理和转换应用中展现出色的性能。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STW13NM50N通常用于开关模式电源(SMPS),这类电源广泛应用于计算机、电视和其他家用电器中。由于其高效的开关特性,STW13NM50N可以显著减少能量损耗,提高整体电源效率。

    2. 太阳能逆变器: 在太阳能系统中,STW13NM50N被用作逆变器中的开关元件。它可以有效地转换直流电为交流电,并保持高效运行,这是太阳能系统中至关重要的部分。

    3. 电动汽车充电器:STW13NM50N也广泛应用于电动汽车充电器中。这些充电器需要高效且可靠的功率转换,以确保快速充电和安全性能。该型号的MOSFET可以满足这些严格要求。

    4. 电机控制:STW13NM50N在电机控制领域也有应用,特别是需要精确控制和高效能量转换的场合。其低导通电阻和高耐压特性使其非常适合这种应用。

    5. 不间断电源(UPS): 在不间断电源系统中,STW13NM50N作为功率开关元件,能够在电源中断时迅速转换到备用电源,确保设备的持续运行。其高效和快速响应特性在这类应用中尤为重要。

    二、参数特点:

    1. 耐压特性:STW13NM50N具有500V的漏源耐压(Vds),能够在高压环境中可靠工作。这使其非常适合需要高电压操作的应用,如开关电源和逆变器。

    2. 导通电阻:STW13NM50N的典型导通电阻(Rds(on))为0.39Ω(最大值),这意味着在开通状态下具有较低的电能损耗。低导通电阻是实现高效能量转换的关键。

    3. 开关速度: 该型号的MOSFET具有快速开关速度,这对高频应用非常重要。快速的开关速度可以减少开关损耗,提高系统的整体效率。

    4. 脉冲电流能力:STW13NM50N的脉冲电流(Id)能力达到52A,适合高脉冲负载的应用场景。这一特点使其在电机驱动和其他需要大电流脉冲的应用中表现出色。

    5. 热性能:STW13NM50N具有优异的热性能,其热阻(Rthj-case)为0.9°C/W。这意味着它能够有效散热,适应高功率操作条件,确保器件在长时间高负荷下稳定运行。

    综上所述,STW13NM50N的以上特点使其成为许多电源管理和转换应用中的理想选择。其高效、可靠的性能使其在市场上备受青睐。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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