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场效应MOS管STW12NM60N参数

PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.41ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW12NM60N是一种N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),在电子设备中具有广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,STW12NM60N因其低导通电阻和高开关速度而被广泛使用。这些特性使其在高效能转换过程中表现出色,减少了能量损失,提高了整体电源的效率。

    2. 不间断电源(UPS):STW12NM60N常用于不间断电源系统中,确保在电源故障时提供持续的电力供应。其高击穿电压和强大的电流处理能力使其在UPS系统中能够可靠地工作。

    3. 电机控制:在电动机驱动和控制应用中,STW12NM60N凭借其快速开关特性和高可靠性,能有效控制电动机的启动和停止过程,从而实现精确的速度和扭矩控制。

    4. 照明系统:STW12NM60N也应用于LED驱动器和其他照明系统中,提供高效能量转换,确保照明设备的稳定性和长寿命。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,STW12NM60N被用于逆变器电路,帮助将直流电转换为交流电。其高效率和可靠性在这些应用中显得尤为重要。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(VDS):STW12NM60N的最大漏源电压为600V,这使其能够在高压环境下稳定工作,非常适合用于需要高电压处理的应用中。

    - 漏源连续电流(ID):该器件的最大漏源连续电流为12A,这意味着它能够处理相对较大的电流,从而适用于大功率转换和控制应用。

    - 导通电阻(RDS(on)):STW12NM60N的导通电阻为0.4Ω(典型值),低导通电阻确保了功率损耗的最小化,提高了整体系统的效率。

    - 总栅电荷(Qg):其总栅电荷为39nC(典型值),低栅电荷使得器件能够实现快速开关,从而在高频应用中表现出色。

    - 栅极电压(VGS):STW12NM60N的最大栅极电压为±30V,这种高栅极电压范围增加了其操作的灵活性,能够适应多种控制电路。

    综上所述,STW12NM60N在其设计中结合了高电压、高电流和低导通电阻等特点,使其成为各种高效能电子设备中的理想选择。通过详细了解STW12NM60N的应用场景和参数特点,可以更好地在实际应用中选择和使用该器件,确保电子设备的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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