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场效应MOS管STW11NM80参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW11NM80是一款场效应晶体管(MOSFET),通常用于功率电子应用中。它的参数特点和应用场景如下:

    一、应用场景:

    1. 电源开关:STW11NM80常被应用于电源开关电路中。在这些电路中,它可以承受高电压和大电流,用于控制电源的开关状态。

    2. 电机驱动:由于STW11NM80具有较低的导通电阻和高的耐压能力,因此在电机驱动器中也经常使用。它能够提供足够的功率以驱动各种类型的电机,例如直流电机和步进电机。

    3. 逆变器:逆变器是将直流电转换为交流电的关键部件。 STW11NM80可用于逆变器的功率开关阶段,有效地控制电流和电压,从而实现高效的能量转换。

    4. 照明应用:LED驱动器和其他照明应用也是STW11NM80的典型应用场景之一。它的高功率特性和可靠性使其成为驱动高亮度LED的理想选择。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):STW11NM80具有较低的导通电阻,这意味着在导通状态下,它可以减少功率损耗并提高效率。

    2. 高耐压能力(VDS):该器件具有高耐压能力,可承受较高的漏极-源极电压,使其适用于高压应用。

    3. 快速开关速度:STW11NM80具有快速的开关速度,这对于要求高频率开关的应用非常重要,例如开关模式电源。

    4. 热稳定性:它的设计具有良好的热稳定性,能够在各种工作条件下保持稳定性能,这对于长时间运行的应用至关重要。

    5. 低输入和输出电容:输入和输出电容的减少有助于减小开关时的功率损耗和提高开关速度,同时有助于简化外部电路设计。

    在各种功率电子应用中,STW11NM80作为一款性能稳定、可靠性高的MOSFET器件,发挥着重要作用。其优秀的参数特点使其在诸多领域中受到广泛关注和应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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