PD最大耗散功率:190WID最大漏源电流:10.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:700VRDS(ON)Ω内阻:0.75ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询
一、应用场景:
1. 电源管理系统:STW10NC70Z广泛应用于电源管理系统,特别是在开关电源和直流-直流转换器中。其高电流处理能力和低导通电阻使其成为电源管理应用中的理想选择。
2. 电动工具:在电动工具中,STW10NC70Z能够提供快速的开关速度和高效的能量传输,确保工具在高负载下仍能稳定运行。
3. 电动汽车(EV)充电站:STW10NC70Z适用于电动汽车充电站的功率控制模块,其高压耐受和高效能量转换性能,能提高充电效率和稳定性。
4. 工业自动化设备:在工业自动化设备中,STW10NC70Z的高可靠性和耐用性能够确保设备在恶劣环境下的长期稳定运行。
5. 太阳能逆变器:STW10NC70Z被用于太阳能逆变器的功率转换部分,其高效率和低损耗特性有助于提高太阳能系统的整体效率。
二、参数特点:
- 导通电阻(RDS(on))低:STW10NC70Z的典型导通电阻为0.35Ω,这意味着在导通状态下电流通过MOSFET时产生的损耗较低,从而提高了系统的整体效率。
- 高击穿电压:该器件的最大击穿电压为700V,这使得STW10NC70Z非常适合用于需要高电压处理能力的应用中,如电动汽车充电站和工业电源系统。
- 高电流处理能力:STW10NC70Z的最大连续漏极电流为10A,能够处理较大的电流负载,适用于各种高功率应用场景。
- 快速开关速度:STW10NC70Z具有快速的开关速度,其典型的上升时间和下降时间分别为10ns和20ns。这一特性使其在高频应用中能够有效降低开关损耗,提高系统效率。
- 低栅极电荷(Qg):STW10NC70Z的总栅极电荷为45nC,这意味着驱动MOSFET所需的能量较低,有助于降低驱动电路的功耗。
通过以上描述可以看出,STW10NC70Z作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其优异的电气参数和广泛的应用场景,在电源管理、电动工具、电动汽车充电站、工业自动化设备和太阳能逆变器等领域中,均发挥着至关重要的作用。无论是其低导通电阻、高击穿电压,还是高电流处理能力、快速开关速度和低栅极电荷,都使得STW10NC70Z成为这些应用中的理想选择。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615
企业QQ:2881579535
深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号