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场效应MOS管STU7N65M参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:1.15ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STU7N65M是一款高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电力电子和开关电源领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源设计中,STU7N65M作为开关元件,可以有效地控制电流的导通和截止,从而实现电源的高效转换。其低导通电阻和快速开关特性,使其在各种AC-DC和DC-DC转换器中得到广泛应用。

    2. 电机控制:在电动机驱动系统中,STU7N65M可以用于PWM(脉宽调制)控制,精确调节电机的速度和转矩。其高耐压和大电流能力,使其在各种工业和消费类电机控制器中表现出色。

    3. 太阳能逆变器:太阳能逆变器需要高效的功率转换,STU7N65M能够在高压环境下稳定工作,并提供高效的电能转换性能。其优越的开关速度和低损耗特性,使其成为太阳能逆变器中的理想选择。

    4. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统中,STU7N65M可以用于电池充放电管理,确保电池的安全和高效运行。其高可靠性和耐久性,使其在各种电池管理系统中得到广泛应用。

    5. 音频放大器:STU7N65M也可以用于音频功率放大器中,提供高质量的音频输出。其低噪声和高线性度特性,使其在高保真音频设备中受到欢迎。

    二、参数特点:

    - 耐压高达650V:STU7N65M的最大漏源电压为650V,使其能够在高压应用中稳定工作,适用于各种高压转换器和逆变器。

    - 导通电阻低至0.75Ω:STU7N65M的导通电阻仅为0.75Ω,保证了在高电流工作时的低功耗和高效率。这一特点使其在需要高效电能转换的场合尤为重要。

    - 连续漏极电流为7A:STU7N65M能够承受7A的连续漏极电流,适用于大电流的应用,如电动机驱动和大功率电源。

    - 快速开关速度:STU7N65M具有快速的开关速度,能够有效减少开关损耗,提高系统的整体效率。这在高频开关电源和高频逆变器中尤为重要。

    - 良好的热性能:STU7N65M的热阻为0.83°C/W,具有良好的热性能,能够有效散热,保证器件在高功率工作时的稳定性和可靠性。

    综上所述,STU7N65M以其高耐压、低导通电阻、高电流承载能力和优越的热性能,广泛应用于开关电源、电机控制、太阳能逆变器、电池管理系统和音频放大器等领域。其卓越的性能和可靠性,使其成为电力电子领域的优选元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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