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场效应MOS管STU6N62K3参数

PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:5.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:620VRDS(ON)Ω内阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STU6N62K3是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电源管理和转换电路中。本文将从应用场景和参数特点两个方面详细展开。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STU6N62K3常用于开关电源的主功率开关器件。其高电压和低导通电阻特性使其能够高效地管理电能的转换,提升电源的整体效率并减少热损耗。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STU6N62K3能够承受高电流和电压的变化,提供可靠的电流控制和保护功能。这使其成为驱动各类直流电机和步进电机的理想选择。

    3. 不间断电源:STU6N62K3在不间断电源系统中起到了至关重要的作用。其快速开关特性和高电流处理能力能够确保系统在电源切换时的平稳过渡,保障关键设备的连续运行。

    4. 逆变器:在逆变器应用中,STU6N62K3可以高效地转换直流电为交流电。其高耐压和低导通电阻特性保证了逆变器的高效率和稳定性,广泛应用于光伏逆变器和风力发电系统中。

    5. 电动汽车充电器:电动汽车充电器需要高效且稳定的功率开关器件。STU6N62K3因其出色的性能,能够提供高效的电能转换,减少充电时间并提升充电效率,是电动汽车充电系统中的重要组件。

    二、参数特点:

    - 耐压高达620V:STU6N62K3的漏源极耐压(Vds)高达620V,使其能够在高电压应用中安全运行,适用于需要高耐压的电路设计。

    - 导通电阻(Rds(on))仅为1.1Ω:其导通电阻非常低,仅为1.1Ω。这一特点使得STU6N62K3在工作过程中能够减少导通损耗,提升整体效率,特别适合高效电源转换应用。

    - 连续漏极电流(Id)为6A:STU6N62K3能够承受高达6A的连续漏极电流,表明其在处理大电流应用时具有良好的性能和稳定性,是大功率电源管理的理想选择。

    - 栅极电荷(Qg)为22nC:其栅极电荷为22nC,这意味着STU6N62K3可以快速地开关,降低开关损耗,提高系统的开关效率,适用于高频开关电路。

    - 工作温度范围:STU6N62K3的工作温度范围广泛,从-55°C到+150°C,确保其在各种恶劣环境下都能稳定运行,满足工业和汽车电子等应用的需求。

    综上所述,STU6N62K3凭借其高耐压、低导通电阻、高电流承受能力、快速开关特性和广泛的工作温度范围,成为电源管理、电机驱动、不间断电源、逆变器和电动汽车充电器等众多应用中的优选器件。其出色的性能参数确保了在各种复杂电路和严苛工作环境下的可靠运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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