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场效应MOS管STU2N80K5参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:2AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:4.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STU2N80K5是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STU2N80K5在电源管理系统中扮演重要角色,能够高效转换电能,降低功耗,提升系统效率。其高压、高电流的特点使其适用于各种开关电源、DC-DC转换器和AC-DC转换器。

    2. 照明系统:STU2N80K5在LED照明驱动电路中应用广泛。由于其低导通电阻和高开关速度,能够有效减少能量损耗,延长照明设备的使用寿命,同时提高照明效率。

    3. 电机驱动:在电机驱动控制中,STU2N80K5能够提供稳定的电流和电压,确保电机的平稳运行。它常用于各种家用电器、电动工具和工业自动化设备中。

    4. 逆变器和UPS:STU2N80K5常用于逆变器和不间断电源(UPS)中,以实现高效能量转换和稳定供电。其高耐压特性使其能够应对逆变过程中可能出现的高电压冲击。

    5. 汽车电子:STU2N80K5在汽车电子领域也有广泛应用,如电动汽车的电池管理系统、车载充电器和电源控制模块等,提供可靠的电源管理解决方案。

    二、参数特点:

    - 高耐压性:STU2N80K5的最大漏源电压(Vds)为800V,能够承受高电压工作环境,适用于需要高耐压能力的应用场合。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(Rds(on))仅为2.0Ω,导通损耗低,提升了整体电路的效率,尤其在高效电源管理系统中表现尤为突出。

    - 高电流处理能力:STU2N80K5的最大漏极电流(Id)为2A,能够处理较大的电流负载,适用于高功率应用。

    - 快速开关特性:其开关速度快,能够在较高频率下工作,有效减少了开关损耗,提升了系统的工作效率,特别适合高频开关电源和逆变器应用。

    - 耐高温性:STU2N80K5的结温(Tj)最高可达150℃,具有良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持可靠的性能。

    综上所述,STU2N80K5凭借其高耐压、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关特性以及耐高温性,成为各类电源管理系统、照明系统、电机驱动、逆变器和UPS以及汽车电子领域的理想选择。其稳定可靠的性能,为电子设备的高效运行提供了坚实保障。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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