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场效应MOS管STU10N60M2参数

PD最大耗散功率:85WID最大漏源电流:7.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STU10N60M2是一个在各种应用场景中被广泛使用的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种器件以其高效能和稳定性在多个领域中占据了重要地位。本文将详细介绍STU10N60M2的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STU10N60M2常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)。其高击穿电压和低导通电阻使其在高效能电源管理中表现出色。它能够在高电压环境下稳定工作,确保系统的安全和可靠。

    2. 电机驱动器:在电机控制和驱动电路中,STU10N60M2被广泛应用。其快速开关速度和高电流处理能力使其能够高效地驱动各类电机,提供稳定的性能。

    3. 光伏逆变器:光伏逆变器需要高效的功率转换器件来将直流电转换为交流电。STU10N60M2在此应用中因其高效能和耐用性而被选用,能够提高整个光伏系统的转换效率。

    4. 电动汽车充电器:在电动汽车充电系统中,STU10N60M2的高效能和低损耗特性使其成为理想的选择。它能够处理高电压和大电流,确保充电过程的快速和安全。

    5. 工业自动化设备:STU10N60M2在各种工业自动化设备中也有广泛应用。其高可靠性和长寿命确保了设备的稳定运行,减少了维护成本和停机时间。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:STU10N60M2具有600V的击穿电压,这使其能够在高压环境下稳定工作,适用于需要处理高电压的应用场景。

    - 低导通电阻:其导通电阻仅为0.47Ω,低导通电阻确保了在导通状态下的低功耗和高效能。

    - 高电流处理能力:STU10N60M2能够处理高达10A的连续电流,使其适用于需要处理大电流的应用场合,如电机驱动和电源管理。

    - 快速开关速度:该器件具有快速的开关速度,开关时间仅为几纳秒。这使其在需要快速响应的电路中表现优异,如高频开关电源。

    - 热性能优越:STU10N60M2具有良好的热管理性能,最大结温为150°C,能够在高温环境下稳定运行,并且封装设计有助于有效散热。

    综上所述,STU10N60M2以其卓越的性能和多样的应用场景在功率MOSFET市场中占据重要地位。无论是电源管理、电机驱动、光伏逆变器、电动汽车充电还是工业自动化设备,STU10N60M2都能够提供高效、可靠的解决方案。其高击穿电压、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度和优越的热性能,使其成为工程师们在设计高效能电力电子设备时的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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