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场效应MOS管STP9NK80Z参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:7.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STP9NK80Z是一种N沟道增强型功率MOSFET,具有卓越的导通特性和高开关速度,广泛应用于各类电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:STP9NK80Z在开关电源和DC-DC转换器中发挥重要作用。其高效的开关性能和低导通电阻,使其能够在转换过程中减少能量损耗,从而提高整体电源效率。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,STP9NK80Z可用作电机驱动器的核心元件。其高电流处理能力和耐高压特性,使其能够有效地控制电机的启动和停止,提高系统的可靠性和性能。

    3. 照明设备:STP9NK80Z在LED照明电路中也有广泛应用。其快速的开关速度和稳定的导通性能,可以实现高效的电流控制,确保LED灯具的亮度稳定和寿命延长。

    4. 工业自动化:在工业自动化设备中,STP9NK80Z被广泛应用于各种控制电路中。其出色的耐压和耐高温特性,使其能够在苛刻的工业环境中稳定运行,保证设备的长时间可靠工作。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STP9NK80Z用于逆变器电路中,帮助将直流电转换为交流电。其高效的开关能力和低损耗特性,能够提高逆变器的转换效率,从而最大化利用太阳能资源。

    二、参数特点:

    - 高耐压特性:STP9NK80Z的漏源电压(Vds)高达800V,这使得它能够在高电压环境下稳定工作,适用于需要高耐压能力的应用场合,如工业控制和电源转换设备。

    - 低导通电阻:其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压下为1.1欧姆,较低的导通电阻有助于减少导通损耗,提高整体电路的效率,这对于需要高效能量转换的应用场合尤为重要。

    - 高电流处理能力:STP9NK80Z的最大连续漏极电流(Id)为7.5A,这意味着它可以处理较高的电流,适用于需要大电流驱动的应用,如电机控制和电源管理系统。

    - 快速开关速度:其栅极电荷(Qg)为26nC,较低的栅极电荷使其具备快速的开关速度,能够有效减少开关损耗,提高转换效率,尤其适合高频开关电路。

    - 热性能优越:STP9NK80Z的结壳热阻(RthJC)为1.67°C/W,良好的热性能确保其在高功率应用中能够有效散热,防止过热,保证器件的稳定性和寿命。

    综上所述,STP9NK80Z凭借其高耐压、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度和优越的热性能,在电源转换、电机驱动、照明设备、工业自动化和太阳能逆变器等领域中发挥着重要作用。其卓越的性能特点使其成为众多电子设备设计中不可或缺的关键元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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