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场效应MOS管STP9N60M2参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:5.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.78ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP9N60M2是一种高压功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中,特别是那些需要高效开关和低损耗的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在AC-DC和DC-DC转换器中,STP9N60M2常被用作主开关器件。这些转换器需要在高频率下高效工作,以减少功耗和提高效率。

    2. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电基础设施中,STP9N60M2能够处理高电压和高功率,确保快速且稳定的充电过程。

    3. 不间断电源(UPS):STP9N60M2在UPS系统中用于功率转换和电池管理,提供可靠的备用电源以确保关键设备的持续运行。

    4. 家电控制电路:如空调、冰箱等家用电器的控制电路中,STP9N60M2通过高效开关控制实现节能降耗。

    5. 工业自动化设备:在工厂自动化和机器人系统中,STP9N60M2用于电机驱动和控制电路,提供精确的电力管理和控制。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(Vds)高达600V:这使得STP9N60M2适用于高压环境,能够处理高电压转换和管理任务。

    - 导通电阻(Rds(on)低至0.75Ω:较低的导通电阻确保了较小的功耗和热量产生,提高了整体系统的效率。

    - 连续漏极电流(Id)可达9A:这表明STP9N60M2能够处理较大电流,适用于需要高电流传输的应用场景。

    - 栅极电荷(Qg)为43nC:较低的栅极电荷确保了快速开关速度,减少了开关损耗和延迟时间。

    - 热阻(RthJC)为1.1°C/W:较低的热阻有助于更好地散热管理,确保器件在高功率条件下的稳定性和可靠性。

    综上所述,STP9N60M2凭借其高压、高效、低损耗的特点,在各种需要高可靠性和高性能的电子设备中得到了广泛应用。通过优化参数和设计,STP9N60M2能够满足不同应用场景的需求,提供稳定和高效的电力转换和管理解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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