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场效应MOS管STP90N4F3参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.0065ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP90N4F3是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STP90N4F3在开关电源中扮演关键角色,主要用于高效能的DC-DC转换器和AC-DC转换器。由于其低导通电阻和高开关速度,能够有效减少功耗,提高转换效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动领域,STP90N4F3常用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动电路中。其高电流处理能力和低导通电阻使其能够在高负载情况下提供稳定可靠的电流输出,保证电机的高效运行。

    3. 汽车电子:STP90N4F3在汽车电子系统中也有广泛应用,如车载充电器、电子控制单元(ECU)和电动助力转向系统。其高可靠性和耐高压特性,确保在苛刻的汽车环境中依然能表现出色。

    4. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,STP90N4F3被用于逆变器电路中,将直流电转换为交流电。其高效能和低损耗特性,有助于提高整体发电效率和系统稳定性。

    5. 消费电子:在消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块中,STP90N4F3常被用作保护电路和负载开关。其小体积和高效能,适应现代电子产品对轻薄化和高性能的要求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STP90N4F3的导通电阻非常低,典型值为4.5毫欧。这意味着在工作过程中,它的功耗较低,效率较高,适合高效能应用。

    - 高电流处理能力:STP90N4F3可以处理高达80安培的连续电流,并且在脉冲模式下,峰值电流更高。这使得它在大功率应用中具有明显优势。

    - 高耐压特性:该器件的漏源击穿电压(BVDSS)为40伏,确保其在高电压应用中能够安全稳定运行,防止电压击穿损坏。

    - 快速开关速度:STP90N4F3具有快速的开关速度,这对于高频应用非常重要。它的开关时间短,能够提高电路的整体速度和效率。

    - 封装和热性能:STP90N4F3采用TO-220封装,具有良好的热性能和机械强度。其低热阻确保在高功率运行时能够有效散热,保持器件稳定。

    综上所述,STP90N4F3凭借其优越的电气性能和可靠性,成为多种高要求应用场景中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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