PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.79ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 电源管理系统:STP8NM50N常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。其低导通电阻和高效能使其能够在这些系统中提供稳定的电源转换和管理。
2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,STP8NM50N可用于控制电机的开关和速度调节,确保电机运行的平稳和高效。
3. 照明系统:在LED驱动电路中,STP8NM50N可用于调节LED的亮度和电流,提供稳定的照明效果,并提高系统的整体能效。
4. 工业控制:在各种工业自动化和控制系统中,STP8NM50N作为开关元件,能够有效控制高电压和大电流设备的运行,提高系统的可靠性和稳定性。
5. 消费电子产品:STP8NM50N也广泛应用于消费电子产品中,如电视机、电冰箱和空调等设备中,用于电源控制和能效管理。
二、参数特点:
- 耐压高:STP8NM50N的漏源极耐压(Vds)高达500V,适用于高压电路设计。这一特点使其在高压应用场景中表现出色,确保电路的安全和可靠性。
- 导通电阻低:其典型导通电阻(Rds(on))仅为0.95Ω,这意味着STP8NM50N在导通状态下的功耗低,提高了电路的整体效率。
- 开关速度快:STP8NM50N的开关时间短,能够快速响应控制信号。这使其在需要高速开关操作的电路中,如开关电源和电机驱动中,表现尤为优异。
- 高脉冲电流能力:其脉冲漏电流(Idm)高达32A,能够处理瞬间的大电流冲击,适用于需要高瞬时电流的应用场景。
- 热稳定性好:STP8NM50N的热阻(Rthj-c)较低,确保在高功率和高温度环境下仍能稳定工作,提高了器件的可靠性和使用寿命。
综上所述,STP8NM50N作为一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、电机驱动、照明系统、工业控制和消费电子产品等领域。其高耐压、低导通电阻、快速开关、高脉冲电流能力和良好的热稳定性等参数特点,使其成为各类高效能电子设备和电路设计中的理想选择。
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