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场效应MOS管STP8NC50参数

PD最大耗散功率:135WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.85ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP8NC50是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。以下将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP8NC50常用于开关电源中,特别是高效DC-DC转换器和AC-DC转换器。其低导通电阻和快速开关速度使其非常适合在这些应用中工作,提高了电源的整体效率和性能。

    2. 电机驱动:在电机控制领域,STP8NC50常用于驱动直流电机和无刷直流电机(BLDC)。由于其能够处理高电流和高电压,它在提供稳定的电机驱动性能方面表现出色。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STP8NC50被广泛应用于逆变器电路中。它可以有效地处理逆变过程中产生的大电流,并且其高效的转换能力有助于提高系统的整体效率。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STP8NC50用来管理电池的充放电过程。其高效能和可靠性确保了在断电情况下,电池能够快速响应并提供稳定的电力供应。

    5. 汽车电子:STP8NC50在汽车电子中也有着广泛的应用,如用于控制电动汽车中的各种高功率子系统,包括电动泵、电动风扇和电动助力转向等。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(Vds):STP8NC50的最大漏源电压为500V,这使其适合用于高压应用场合。该特性确保了它在处理高电压时能够保持稳定和安全。

    - 导通电阻(Rds(on):该型号的导通电阻较低,在10V栅极电压下典型值为0.8Ω。这意味着在开通过程中,STP8NC50能够有效降低功耗,提高系统的效率。

    - 漏电流(Id):STP8NC50的连续漏电流能力为8A。这使其在需要处理较大电流的应用中表现良好,确保了设备的高效运行。

    - 开关速度:STP8NC50具有快速的开关速度,这对于高频应用至关重要。快速开关能够减少开关损耗,提高电路的整体效率。

    - 栅极电荷(Qg):STP8NC50的总栅极电荷较低,典型值为45nC。这意味着在驱动时需要的能量较少,有助于减少驱动电路的功耗,并提升整体系统的效率。

    通过以上分析可以看出,STP8NC50凭借其卓越的电气性能和高可靠性,在众多高压大电流应用中都有着广泛的应用。其出色的参数特点使其在提高系统效率、降低功耗方面表现优异。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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