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场效应MOS管STP8N80K5参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:6AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:0.95ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP8N80K5是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电子设备和电路设计中。它的应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP8N80K5常用于开关电源(Switch Mode Power Supply, SMPS)中。由于其具有高效能、低损耗的特性,使得它在高频率开关应用中表现出色。这款MOSFET能够在高电压和大电流的条件下工作,同时保持较低的开关损耗,从而提高电源的整体效率和可靠性。

    2. 电动汽车充电器:在电动汽车充电器的设计中,STP8N80K5是一个理想的选择。它能够承受高达800V的电压,并且在高频率下工作时,表现出卓越的稳定性和效率。这使得充电器可以在较高的功率下运行,从而缩短充电时间,提高充电效率。

    3. 太阳能逆变器:STP8N80K5在太阳能逆变器中有广泛的应用。由于太阳能系统需要将直流电转换为交流电,并且要求设备能够在高效、低损耗的条件下运行,这款MOSFET的高压承受能力和优异的开关性能使其成为太阳能逆变器设计中的常见组件。

    4. LED驱动器:在LED驱动器电路中,STP8N80K5由于其高效的开关特性和低导通电阻,能够有效减少能量损耗,提升LED驱动器的效率和寿命。特别是在高功率LED应用中,这款MOSFET的优势更加明显。

    5. 工业自动化设备:工业自动化设备通常需要高可靠性和高效率的电力转换组件,STP8N80K5的高压承受能力和低开关损耗特性,使其非常适合用于各种工业控制电路和驱动电路中,提供稳定的电力转换和控制功能。

    二、参数特点:

    - 高压承受能力:STP8N80K5的漏源极耐压(V_DS)高达800V,使其能够在高压环境下安全工作。这一特性非常适合应用于需要高压操作的电路设计中,如电源管理和工业自动化设备。

    - 低导通电阻:其导通电阻(R_DS(on))较低,在最大电流下也能保持较低的导通损耗,从而提高系统的整体效率。对于高功率应用场景,如电动汽车充电器和太阳能逆变器,这一特性尤为重要。

    - 快速开关速度:STP8N80K5具有快速的开关速度,这使得它在高频应用中表现出色。快速开关能够减少开关损耗,并提高系统的工作效率和稳定性,特别适用于开关电源和LED驱动器等需要高频操作的场合。

    - 低栅极电荷:栅极电荷(Q_G)较低意味着在驱动STP8N80K5时所需的能量较少,这有助于减少驱动电路的功耗,并提高整体系统的效率。这一特性在需要频繁开关的应用中尤为有利,如电动汽车充电器和工业自动化设备。

    - 可靠的热性能:STP8N80K5具有优异的热性能和热稳定性,能够在高温环境下保持稳定的性能。这使得它在工业应用和高功率应用中能够长时间可靠运行,不易因过热而损坏。

    通过以上详细介绍,可以看出STP8N80K5凭借其卓越的性能和多样的应用场景,成为电子工程师在设计高效能、高可靠性电路时的常用选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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