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场效应MOS管STP85N3LH5参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.005ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP85N3LH5是一种功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效率和高可靠性的电源管理和转换电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源供应器:在开关电源(SMPS)中,STP85N3LH5作为主开关元件使用。由于其低导通电阻和快速开关速度,它能够有效降低功耗,提高电源的效率。

    2. 电动汽车和混合动力汽车:在电动和混合动力汽车的电机驱动控制中,STP85N3LH5被用作驱动MOSFET,以提供高效的电力传输和转换,支持更长的续航里程和更高的动力输出。

    3. 太阳能逆变器:STP85N3LH5在太阳能光伏系统中用作逆变器开关,可以提高能量转换效率,减少热量产生,延长系统的使用寿命。

    4. 工业自动化设备:在工业控制系统中,如电机控制器和PLC,STP85N3LH5提供了可靠的电力开关解决方案,确保设备运行的稳定性和效率。

    5. 消费电子产品:如高效电池充电器、LED驱动器等,STP85N3LH5能够提供高效、低损耗的电力管理,延长产品的使用时间。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):典型值为3.5mΩ,这使得STP85N3LH5在工作过程中具有低损耗,提高了系统的整体效率。

    - 高额定电流:连续漏极电流(ID)高达85A,适用于需要大电流传输的应用场景,如电动汽车驱动和工业设备控制。

    - 高耐压能力:漏源极击穿电压(VDS)为30V,能够在较高电压条件下安全运行,适用于各种电力转换和电源管理应用。

    - 快速开关速度:STP85N3LH5的开关时间非常短,有助于降低开关损耗,提高系统的动态响应能力。

    - 热性能良好:其结壳热阻(Rth(j-c))仅为0.5°C/W,具有优异的散热性能,确保在高功率运行时保持稳定的温度。

    综上所述,STP85N3LH5作为一种高性能功率MOSFET,在电源管理、电动汽车、太阳能逆变器、工业自动化和消费电子等多个领域都有广泛的应用。其低导通电阻、高额定电流、高耐压能力、快速开关速度和优良的热性能使其成为高效电力转换和管理的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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