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场效应MOS管STP80N70F4参数

PD最大耗散功率:1510WID最大漏源电流:85AV(BR)DSS漏源击穿电压:68VRDS(ON)Ω内阻:0.0098ΩVRDS(ON)ld通态电流:48AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP80N70F4是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP80N70F4在开关电源、DC-DC转换器和不间断电源(UPS)中,可以用作开关元件,提高系统的转换效率和稳定性。

    2. 电动汽车:电动汽车的电池管理系统(BMS)和电机控制系统需要高效且可靠的功率元件,STP80N70F4能够提供高电流处理能力和低导通电阻,适合在这些系统中使用。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,逆变器需要将直流电转换为交流电,STP80N70F4可以在高效率和低损耗的条件下进行高频开关操作,优化系统性能。

    4. 工业控制设备:在各种工业自动化设备中,例如电机驱动器和伺服控制系统,STP80N70F4可以提供稳定的电流控制和快速的开关速度,提升设备的响应速度和控制精度。

    5. 消费电子产品:在一些高性能的家用电器如空调、冰箱和智能家居设备中,STP80N70F4能够帮助实现高效的能量管理和降低功耗。

    二、参数特点:

    - 高电流处理能力:STP80N70F4的最大连续漏极电流为80A,这使其能够处理大电流负载,适合应用于高功率需求的设备中。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(Rds(on))仅为7.5mΩ,这显著降低了导通损耗,提高了整体系统的效率。这对于高频开关应用尤其重要,因为低导通电阻可以减少发热量和能量损失。

    - 高击穿电压:STP80N70F4的漏源击穿电压(BVDSS)为700V,这意味着它能够在高电压环境下可靠运行,适用于需要高耐压特性的应用场景,如电网逆变器和工业电源。

    - 快速开关速度:其栅极电荷(Qg)相对较低,开关速度快,有助于减少开关损耗和提高系统效率。快速的开关速度也使其在高频应用中表现优异,适合用于要求高频率操作的电源转换器和驱动器中。

    - 坚固的结构和高可靠性:STP80N70F4采用了先进的制造工艺和优化的设计,具有很高的耐用性和可靠性。它能够在恶劣的工作环境下长期稳定运行,减少了设备维护和更换的频率。

    综上所述,STP80N70F4凭借其出色的电流处理能力、低导通电阻、高击穿电压、快速开关速度和高可靠性,成为了电源管理系统、电动汽车、太阳能逆变器、工业控制设备和消费电子产品等领域的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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