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场效应MOS管STP80N10F7参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.01ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP80N10F7是一款高性能的N沟道功率MOSFET,其应用场景和参数特点使其在各种电子和电气设备中广泛应用。本文将详细介绍STP80N10F7的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP80N10F7在电源管理系统中起着关键作用,特别是在开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)中。它们通过高效的开关特性,显著提高了电源转换效率,从而降低了系统能耗。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻、电锯等设备中,STP80N10F7能够承受高电流和高电压的瞬态变化,其坚固的设计保证了设备在严苛工作条件下的可靠性和耐久性。

    3. 汽车电子:STP80N10F7在汽车电子中被广泛应用,包括电动汽车的电池管理系统和车载充电器等。其高耐压和低导通电阻特性,使其在这些应用中表现出色,能够满足汽车电子对高效和高可靠性的严格要求。

    4. 工业控制系统:在工业自动化和控制系统中,STP80N10F7常用于电机驱动和控制电路。其快速开关速度和低导通电阻有助于提高系统的响应速度和效率。

    5. 消费电子:在日常消费电子产品如LED电视、电脑和游戏机等设备中,STP80N10F7同样起到重要作用,确保这些设备的高效稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STP80N10F7的导通电阻(R_DS(on))非常低,仅为11毫欧(最大值),这意味着在大电流通过时,功率损耗较小,从而提高了整体效率。

    - 高耐压能力:STP80N10F7的漏源击穿电压(V_DS)高达100V,适用于各种高压应用场景,确保在高压环境下的可靠运行。

    - 高电流承载能力:该器件的连续漏极电流(I_D)高达80A,使其能够处理大电流负载,特别适用于需要高电流的应用,如电动工具和电动汽车。

    - 快速开关速度:STP80N10F7的栅极电荷(Qg)较低,典型值为140nC,使其具备快速的开关速度,有助于降低开关损耗,提高系统效率。

    - 耐热性能优越:STP80N10F7的结温(T_j)最高可达175°C,具有良好的热性能,确保在高温环境下的稳定运行,适用于苛刻的工业和汽车电子环境。

    通过以上对STP80N10F7应用场景和参数特点的详细介绍,可以看出该MOSFET器件在各类电气和电子设备中发挥着重要作用,其高效、可靠和耐用的特点使其成为众多设计工程师的首选。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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