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场效应MOS管STP7NM60N参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.9ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP7NM60N是一款常规型N沟道增强型功率MOSFET,适用于各种功率应用场合。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP7NM60N在开关电源、电源适配器和电池管理系统中广泛应用,提供高效的功率开关和调节功能。

    2. 电机驱动:在工业自动化、电动工具以及电动汽车中,STP7NM60N作为电机驱动器件,能够承受高电流和高压的工作环境。

    3. 照明应用:在LED驱动电路和照明控制系统中,STP7NM60N可以提供高效能的功率开关和电压调节,保证LED灯具稳定工作。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,STP7NM60N可以作为发动机控制单元(ECU)、变速器控制和其他高压电子设备的关键组成部分。

    5. 工业控制:用于工厂自动化设备、电力设备和电力工具中,STP7NM60N提供稳定可靠的功率开关和控制能力。

    二、参数特点:

    - 高导电能力:STP7NM60N具有低导通电阻和高导通电流能力,能够在高功率应用中提供低损耗的电气性能。

    - 低开关损耗:MOSFET结构设计使得STP7NM60N在开关操作时具有较低的开关损耗,提高能效和降低热量产生。

    - 高耐压能力:能够承受较高的漏极-源极电压(VDS),适用于工业和汽车电子环境中的高压操作需求。

    - 热稳定性:具备良好的热稳定性和耐高温能力,适合各种严苛的工作环境和长时间工作要求。

    - 紧凑封装:STP7NM60N采用TO-220封装,适合于需要散热和紧凑布局的应用场合。

    综上所述,STP7NM60N是一款功能强大的功率MOSFET,适用于多种高功率、高电压应用场合。其优秀的电气特性和可靠性使其成为电子设备中的理想选择,无论是在工业控制系统、汽车电子还是照明领域,STP7NM60N都能提供卓越的性能和稳定的工作保证。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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