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场效应MOS管STP7NK40Z参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:5.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:1ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STP7NK40Z是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),在各种电子设备和电路中具有广泛的应用。以下将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP7NK40Z常用于开关电源的开关管,能有效地控制电流和功率,提高电路的效率和稳定性。

    2. 电机驱动器:STP7NK40Z在电机驱动器中能够承受较高的电压和电流,具备快速的开关特性,适合精确控制的驱动应用。

    3. 电源管理系统:作为电源开关或电压调节器的关键部件,STP7NK40Z确保电能的高效转换和稳定输出。

    4. 工业控制:在自动化控制系统中,STP7NK40Z可用于开关和调节电路,提升设备的运行效率。

    5. 汽车电子:用于车载电子控制单元(ECU)等系统,防止电压波动对电子设备的损害。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:典型导通电阻仅为几欧姆,降低功耗和热量损失。

    2. 高耐压能力:能够承受较高的漏电流和反向电压,确保设备的安全可靠性。

    3. 快速开关特性:具备快速的开关速度和响应时间,适合频繁开关和精确控制的需求。

    4. 良好的热特性:有效散热,提高器件的可靠性和使用寿命。

    5. 集成保护功能:内置过电流保护和过热保护,提供额外的安全保护,防止器件损坏和系统故障。

    综上所述,STP7NK40Z作为一款性能优越的N沟道MOSFET,在多个领域中展现出色。其广泛的应用场景和突出的参数特点使其成为电子设备设计中的理想选择,无论是在工业自动化、电源管理还是汽车电子领域,STP7NK40Z都能发挥重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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