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场效应MOS管STP7NA40参数

PD最大耗散功率:100WID最大漏源电流:6.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:1ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.25~3.75VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP7NA40是一款N沟道功率MOSFET,具有广泛的应用场景和特点。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP7NA40在开关电源和逆变器中能够有效降低功率损耗,提高系统效率。

    2. 电动工具:用于马达驱动和控制,能够提供稳定的功率输出和高效的电能转换。

    3. 汽车电子:作为电源开关和驱动器,能够承受高电压和大电流,保证系统可靠性。

    4. 工业电子:在工业控制系统中,STP7NA40能够稳定工作并提供高效能量转换。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:STP7NA40的低RDS(on)能够减少导通状态下的功率损耗。

    2. 高开关速度:响应速度快,适用于高频开关电路,提高系统响应速度和效率。

    3. 高电压耐受能力:能够承受较高的漏极-源极电压,适合高电压操作。

    4. 热特性优良:良好的散热性能和稳定性,适用于高负载条件,延长器件寿命。

    5. 环保与可靠性:符合环保要求,具有长期稳定性和高可靠性。

    综上所述,STP7NA40作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,在各种电子设备中发挥重要作用,特别是在需要高效能量转换和稳定性能的应用中表现突出。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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