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场效应MOS管STP7N95K3参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:7.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:950VRDS(ON)Ω内阻:1.35ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STP7N95K3是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路和设备中。本文将详细探讨其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP7N95K3常用于开关电源(SMPS)中,尤其是高效电源转换器中。它能够在高频率下高效地处理大电流,并且具有低导通电阻(R_DS(on)),从而减少了功率损耗,提高了整体电源效率。

    2. 电动机驱动器:在电动机驱动器中,STP7N95K3作为开关器件使用,能够有效控制电动机的启动和停止,并调节其速度。其快速开关特性和耐高压能力使其成为驱动电动机的理想选择。

    3. 照明系统:现代照明系统,特别是LED照明中,STP7N95K3被广泛应用。它能够通过PWM控制实现调光功能,且其高效能和低损耗特性使其在长时间工作中表现优异。

    4. 逆变器:在逆变器应用中,STP7N95K3用于DC-AC转换过程中。其高耐压和快速响应特性确保了逆变器的稳定性和高效能,特别是在太阳能光伏系统中发挥了重要作用。

    5. 电池管理系统:STP7N95K3还被应用于电池管理系统(BMS),用于电池的充放电控制。其高效能和低导通电阻确保了电池充放电过程中的安全性和稳定性。

    二、参数特点:

    1. 击穿电压(V_DS):STP7N95K3的最大击穿电压为950V,这使其能够在高压环境下工作,适用于高压电源和工业控制领域。

    2. 导通电阻(R_DS(on):其典型导通电阻为1.1Ω(V_GS=10V),在MOSFET导通时,这一低导通电阻有助于减少功率损耗,提高电路效率。

    3. 漏极电流(I_D):STP7N95K3的最大漏极电流为7A(Tc=25℃),这使得它能够处理较大的电流,适用于高功率电路应用。

    4. 栅极电荷(Q_g):栅极电荷典型值为43nC,较低的栅极电荷使得STP7N95K3具有快速开关特性,适合高频应用。

    5. 热阻(R_thJC):其结到壳的热阻为2.5℃/W,优良的热性能确保了器件在高功率和高温环境下的稳定运行。

    综上所述,STP7N95K3凭借其高击穿电压、低导通电阻、大漏极电流、低栅极电荷和优良的热性能,被广泛应用于开关电源、电动机驱动器、照明系统、逆变器和电池管理系统等领域。这些参数和特性使其在各种应用中表现出色,是一种高效可靠的功率MOSFET。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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