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场效应MOS管STP7N80K5参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:6AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STP7N80K5是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和转换系统中,具有许多显著的特点和应用场景。本文将详细介绍STP7N80K5的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STP7N80K5在开关电源中广泛应用,尤其是在高效率、高频率转换器中。由于其低导通电阻和快速开关速度,使得其能够有效地减少功率损耗,提高电源效率。在开关电源中,这款MOSFET通常用于主功率开关位置。

    2. 照明系统:在LED驱动器和其他照明系统中,STP7N80K5也有广泛应用。其高耐压特性和高效率使其在高压LED驱动电路中表现出色,能够保证系统的稳定性和寿命。

    3. 不间断电源(UPS):STP7N80K5在UPS系统中作为逆变器和整流器的核心器件。其高电流处理能力和高效率特点,使得其能够在关键电源转换过程中提供可靠的性能,确保不间断电源的稳定输出。

    4. 电动汽车充电器:随着电动汽车的普及,STP7N80K5在电动汽车充电器中的应用也越来越广泛。其高耐压和高电流处理能力,使得其能够在充电器中实现高效的电能转换和控制,确保电动汽车电池的快速、安全充电。

    5. 工业电源控制:STP7N80K5也常用于各种工业电源控制系统中,包括变频器、电机驱动等。其高可靠性和耐用性,使其能够在苛刻的工业环境中长期稳定运行,提供可靠的电源控制。

    二、参数特点:

    - 耐压高:STP7N80K5的漏源极耐压(Vds)高达800V,这使得它能够在高压应用场景中发挥重要作用,如工业电源和电动汽车充电器等。

    - 导通电阻低:其典型的导通电阻(Rds(on))仅为1.1Ω,这意味着在导通状态下,STP7N80K5能够显著减少功率损耗,提高整体电路的效率。

    - 开关速度快:STP7N80K5具有快速的开关速度,这对于高频开关电源和其他需要快速响应的应用场景非常重要。其快速开关能力能够有效减少开关损耗,提升系统效率。

    - 电流处理能力强:其最大连续漏极电流(Id)为7A,使得STP7N80K5能够处理较大的电流需求,适用于高功率应用场景。

    - 热性能优越:STP7N80K5具备良好的热性能,允许其在高温环境下稳定工作。其结温高达150°C,并且具有低热阻特性,有助于散热管理,提高可靠性。

    综上所述,STP7N80K5凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关速度、高电流处理能力和优越的热性能,成为众多高效电源管理和转换系统中的首选器件。其广泛的应用场景和出色的参数特点,使得STP7N80K5在工业、电动汽车、照明和UPS等领域中发挥着重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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