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场效应MOS管STP6NS25参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:6AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:1.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP6NS25是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。以下是其应用场景和参数特点的详细说明。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP6NS25常用于开关电源、电源适配器和DC-DC转换器中。它的低导通电阻和快速开关特性使其在这些应用中能够有效提高效率,减少能量损耗,从而提供稳定和高效的电源管理解决方案。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,STP6NS25表现出色。其高电流承载能力和良好的热性能使其适用于各种电机驱动应用,例如电动工具、风扇和泵等。该器件能够承受较大的负载电流,并保持稳定的工作状态。

    3. 音频放大器:在音频放大器电路中,STP6NS25被用作输出级的功率放大元件。其低失真和高线性度特性使其能够提供高品质的音频输出,适用于高保真音响系统和专业音频设备。

    4. 工业控制:STP6NS25在工业控制应用中也得到了广泛使用,例如PLC控制器、工业自动化设备等。其高可靠性和耐用性确保了在恶劣工业环境中的长期稳定运行。

    5. 汽车电子:STP6NS25在汽车电子中的应用包括电动门窗控制、车载充电器和电池管理系统等。其高效率和低功耗特性有助于提高汽车电子系统的整体性能和可靠性。

    二、参数特点:

    - 导通电阻:STP6NS25的导通电阻非常低,仅为0.055Ω(典型值),这使得在高电流应用中能够减少能量损耗,提高电路效率。

    - 击穿电压:该器件的击穿电压为250V,这意味着它能够在高电压环境下可靠工作,不易击穿损坏,提供了更高的安全性和稳定性。

    - 最大漏极电流:STP6NS25的最大漏极电流为5.3A,能够承受较大的电流负载,适用于需要大电流驱动的应用场景。

    - 栅极电荷:其典型栅极电荷为26nC,较低的栅极电荷使得该器件能够实现快速开关,有助于提高开关电源和其他高速开关应用的效率。

    - 热性能:STP6NS25的热阻(结到壳)为1.67°C/W,这意味着其具有良好的散热性能,能够在高功率应用中有效散热,保持器件的稳定工作温度。

    综上所述,STP6NS25凭借其优异的电气性能和可靠的热特性,在电源管理、电机驱动、音频放大器、工业控制和汽车电子等多个领域得到了广泛应用。其低导通电阻、高击穿电压、大电流承载能力和快速开关特性,使其成为各种高效、可靠电子电路中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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