PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:5.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~3.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 开关电源:STP6NK50Z在开关电源中用于高效电能转换。它的高击穿电压和低导通电阻使其成为理想的开关器件,能够在高频率下稳定运行,减少能量损耗,提高系统效率。
2. 电机驱动:STP6NK50Z用于电机的启动、停止和速度调节。其高电流处理能力和快速开关特性,使其能够应对电机启动时的大电流冲击,确保电机平稳运行。
3. 不间断电源:STP6NK50Z用于UPS系统中的切换和稳压。其高可靠性和快速响应能力,在电源中断时能够迅速切换到备用电源,确保关键设备的持续供电。
4. 光伏逆变器:STP6NK50Z用于光伏发电系统中将直流电转换为交流电。其高效率和耐用性,能够提高太阳能系统的整体效率,延长设备使用寿命。
5. 音频放大器:STP6NK50Z用于高功率音频放大器中。其低导通电阻和高线性度,能够提供清晰、无失真的音频输出,满足高保真音响设备的需求。
二、参数特点:
1. 漏源击穿电压:STP6NK50Z的漏源击穿电压高达500V,这使其适用于高压应用,能够承受较大的电压冲击而不被击穿。
2. 导通电阻:其典型导通电阻为1.2Ω(在VGS=10V时),低导通电阻意味着在工作时损耗的能量较少,能够提高整体电路的效率。
3. 最大漏极电流:STP6NK50Z能够处理的最大漏极电流为6A,这使其能够在需要大电流处理的应用中表现出色,满足高功率需求。
4. 门极电荷:其典型门极电荷为45nC(在VGS=10V时),低门极电荷意味着开关速度快,能够快速响应输入信号的变化,提高开关频率,减少延迟。
5. 热阻:STP6NK50Z的结到壳热阻为1.67°C/W,优异的热性能使其能够在高温环境下稳定工作,延长器件寿命,减少过热损坏的风险。
综上所述,STP6NK50Z凭借其优异的参数性能和广泛的应用场景,成为许多电子设计中的首选功率MOSFET。无论是在高效能量转换、电机驱动,还是在不间断电源和音频放大器等领域,STP6NK50Z都能够提供可靠、高效的解决方案。
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