PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:5.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:1.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 电源管理:STP6NC80Z在电源管理系统中广泛应用,特别是在开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中。其低导通电阻和快速开关特性使其能够有效减少功率损耗,提高系统的能效。
2. 电机驱动:在电机驱动领域,STP6NC80Z常用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路。其高耐压特性和大电流处理能力使其能够承受电机启动和运行时的高电压和电流冲击,保证系统的稳定性和可靠性。
3. 工业自动化:在工业自动化设备中,STP6NC80Z被广泛用于控制器和执行器的驱动模块。其高开关速度和低功耗特性有助于提高设备的响应速度和能效,同时降低系统的散热需求。
4. 照明系统:STP6NC80Z在LED照明系统中表现出色。其低导通电阻和高效的开关特性使其在LED驱动电路中能够提供稳定的电流,确保LED灯具的亮度和寿命。
5. 通信设备:在通信设备中,STP6NC80Z用于电源放大器和射频功率放大器的电源管理。其优异的电气性能和可靠性使其在高频应用中同样表现出色,确保通信信号的稳定传输。
二、参数特点:
- 耐压特性:STP6NC80Z的漏源极击穿电压(Vds)为800V,这使其能够在高电压应用场景下工作,适用于需要高耐压的电路设计。
- 导通电阻:STP6NC80Z的导通电阻(Rds(on))典型值为1.2Ω,在功率MOSFET中属于较低水平。这有助于减少导通损耗,提高电路的能效,尤其在高功率应用中表现尤为显著。
- 电流处理能力:STP6NC80Z的连续漏极电流(Id)为6A,这意味着其能够处理较大的电流,适用于需要高电流处理能力的应用场景,如电机驱动和电源管理。
- 开关速度:STP6NC80Z具备快速的开关特性,其开关时间(ton和toff)短,这对于高频开关电源和高速电机驱动电路来说尤为重要,可以显著提高系统的效率和性能。
- 封装形式:STP6NC80Z采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性,适合在高功率应用中使用,确保器件在高功率、高温环境下稳定工作。
综上所述,STP6NC80Z作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,其在电源管理、电机驱动、工业自动化、照明系统和通信设备等领域展现了广泛的应用前景。其优异的耐压特性、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度和可靠的封装形式,使其成为上述应用场景中的理想选择。
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