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场效应MOS管STP6NB90参数

PD最大耗散功率:135WID最大漏源电流:5.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:2ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP6NB90是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电力系统中。它的应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,STP6NB90常用于主开关器件。这类电源需要高效、低损耗的开关元件,而STP6NB90以其低导通电阻和快速开关速度满足了这一需求,能够显著提高电源的转换效率。

    2. 电机控制:STP6NB90在电机控制电路中也发挥重要作用。它的高耐压特性和优异的电流处理能力,使其能够在高电压、大电流的电机驱动应用中稳定运行,提供可靠的电源管理和控制。

    3. 不间断电源(UPS):UPS系统需要稳定的高功率输出,而STP6NB90因其高电流承载能力和低损耗特性,成为UPS逆变器电路的理想选择,能够确保电力设备在断电时仍然稳定运行。

    4. 照明控制:在现代LED照明系统中,STP6NB90可用于LED驱动电路。其低导通电阻和高效开关特性,使得LED驱动电路具有更高的能效,延长LED的使用寿命。

    5. 太阳能逆变器:STP6NB90适用于太阳能逆变器,这类设备需要在高电压和大功率条件下工作。STP6NB90的高耐压和低导通电阻,使其在太阳能发电系统中能够有效地转换和管理电能。

    二、参数特点:

    - 耐压能力高:STP6NB90的最大漏源电压(Vds)为900V,这使其能够在高压应用场景中安全运行,提供可靠的电气隔离和保护。

    - 低导通电阻:STP6NB90的导通电阻(Rds(on))仅为1.5Ω(在10V栅源电压时),低导通电阻意味着在工作过程中,器件产生的热量更少,能效更高,有助于减少散热设计的复杂性。

    - 高脉冲电流能力:STP6NB90的脉冲漏极电流(Id)高达24A,这表明其能够处理较高的瞬时电流,非常适合于需要快速响应和高峰值电流的应用。

    - 快速开关速度:STP6NB90的栅极电荷(Qg)为32nC,这个参数决定了MOSFET的开关速度。较低的栅极电荷意味着更快的开关速度,能够提高电路的整体效率。

    - 可靠性高:STP6NB90在设计上注重高可靠性,能够在宽温度范围内(-55°C至150°C)稳定工作,并且具有出色的热管理性能,确保在各种恶劣环境下的长期稳定运行。

    综上所述,STP6NB90凭借其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为众多电力电子设备中的关键元件。无论是在高效开关电源、电机控制,还是在太阳能逆变器和LED照明控制中,STP6NB90都展示了其不可替代的重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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