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场效应MOS管STP6N60M2参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:4.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP6N60M2是一种N沟道功率MOSFET,以其高效能和可靠性广泛应用于各类电子设备和电力系统中。本文将详细介绍STP6N60M2的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP6N60M2常用于开关电源中,尤其是高效率和高频率的DC-DC转换器和AC-DC转换器。这些转换器需要快速开关速度和低损耗,STP6N60M2的低导通电阻和低栅极电荷正好满足这些要求。

    2. 电机驱动:在电机控制领域,STP6N60M2被用于控制电机的启动和停止,以及速度和方向的调节。其高耐压和高电流处理能力使其能够承受电机启动时的高浪涌电流。

    3. 照明系统:特别是在LED驱动电路中,STP6N60M2凭借其高效能和稳定性,广泛应用于大功率LED照明系统中,以提高能效并延长灯具寿命。

    4. 不间断电源:STP6N60M2还用于UPS系统中,以确保在电力中断时,系统能够迅速切换到备用电源,保持供电稳定。其高可靠性和快速响应特点非常适合此类应用。

    5. 工业控制系统:在工业自动化设备中,STP6N60M2被用于各种控制电路和保护电路中,以确保系统的稳定性和安全性。其高开关速度和低功耗使其在工业环境中具有极高的适用性。

    二、参数特点:

    - 耐压特性:STP6N60M2的最大漏源电压为600V,这使其适用于高压应用场景,如工业电源和大型电机驱动电路。

    - 导通电阻:其导通电阻低至1.2Ω(典型值),这意味着在导通状态下,STP6N60M2可以有效降低功率损耗,提高整体系统效率。

    - 栅极电荷:STP6N60M2的总栅极电荷为40nC,这表明其能够在高频开关应用中实现快速开关,降低开关损耗,提高转换效率。

    - 最大漏极电流:其最大连续漏极电流为6A(Tc = 25°C),能够处理较大的电流需求,适用于大功率应用。

    - 热性能:STP6N60M2的结到环境热阻(RthJA)为62.5°C/W,这意味着它具有良好的散热性能,能够在高温环境下稳定工作,进一步提高了其可靠性。

    综上所述,STP6N60M2是一款性能优越的N沟道MOSFET,适用于多种高效能、高可靠性的电子设备和系统。其优异的电气参数和广泛的应用场景使其成为现代电力电子设计中的重要组件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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