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场效应MOS管STP62NS04Z参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:62AV(BR)DSS漏源击穿电压:33VRDS(ON)Ω内阻:0.015ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP62NS04Z是一款意法半导体(STMicroelectronics)推出的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。以下详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP62NS04Z常用于开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统中。其高效率和低损耗使其在这些应用中表现出色,能够有效降低热量产生,提高系统的稳定性和可靠性。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制系统中,STP62NS04Z发挥着关键作用。其高开关速度和低导通电阻(R_DS(on))确保电机能够快速响应控制信号,同时减少能量损耗,提高整体效率。

    3. 汽车电子:STP62NS04Z广泛应用于汽车电子系统,如电子控制单元(ECU)、车灯控制模块和电动座椅控制系统。其高耐压和高电流处理能力能够满足汽车电子设备的苛刻要求。

    4. 工业自动化:在工业自动化设备中,STP62NS04Z用于控制各种执行器和传感器。其稳定的性能和可靠性保证了工业设备的长期稳定运行,减少了维护成本和停机时间。

    5. 消费电子:STP62NS04Z也被广泛应用于消费电子产品中,如智能家电、LED照明和音视频设备。其优越的性能提升了这些产品的功效和用户体验。

    二、参数特点:

    - 高耐压:STP62NS04Z的漏源电压(V_DS)为60V,这使其能够在较高电压条件下稳定工作,适用于多种高压应用场景。

    - 低导通电阻:该器件的最大导通电阻(R_DS(on))为0.009Ω(在10V栅源电压下),低导通电阻意味着更低的能量损耗和更高的效率,非常适合高效能量转换应用。

    - 高开关速度:STP62NS04Z具有快速开关特性,其总栅电荷(Q_g)为60nC,在高频开关应用中能够迅速响应控制信号,减少延迟和能量损耗。

    - 大电流处理能力:STP62NS04Z能够处理高达80A的连续漏极电流,这使其在需要大电流处理能力的应用中表现出色,提供了更高的可靠性和稳定性。

    - 热性能:该器件具有良好的热性能,结壳热阻(R_thJC)为1.5°C/W,这意味着其在高功率应用中能够有效散热,维持稳定的工作温度,延长器件的使用寿命。

    综上所述,STP62NS04Z凭借其优越的性能和广泛的应用场景,成为电子工程师们在设计各种电路和系统时的首选器件之一。无论是在电源管理、电机控制还是在汽车电子、工业自动化和消费电子中,STP62NS04Z都展示了其卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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