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场效应MOS管STP60NS04Z参数

PD最大耗散功率:140WID最大漏源电流:60AV(BR)DSS漏源击穿电压:33VRDS(ON)Ω内阻:0.015ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.7~4.2VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STP60NS04Z是一款由STMicroelectronics生产的N沟道MOSFET,这种器件以其高效能和可靠性在多种应用场景中得到了广泛使用。本文将详细介绍STP60NS04Z的应用场景及其参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP60NS04Z常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。由于其低导通电阻和高开关速度,使得它能够在高效能电源管理系统中实现能量的高效转换和分配,减少功耗并提高系统整体效率。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻、电锯等设备中,STP60NS04Z的高电流承载能力和耐用性使其成为理想的选择。这些工具需要在高电流和高温度条件下工作,因此需要MOSFET具有优良的散热性能和可靠性。

    3. 汽车电子:STP60NS04Z在汽车电子中也有广泛的应用,包括车载充电器、电子控制单元(ECU)和电动助力转向系统等。其高效能和可靠性确保了汽车电子系统的稳定运行,满足了汽车工业对高性能元件的需求。

    4. 家用电器:许多现代家用电器,如空调、冰箱和洗衣机等,也使用STP60NS04Z来控制电机和其他高功率部件。其低导通电阻和高开关速度有助于提高电器的能效和性能。

    5. 工业自动化:在工业自动化设备中,STP60NS04Z用于驱动电机和控制系统,如机器人和自动生产线。其高电流承载能力和耐用性确保了工业设备在高负荷和连续运行条件下的可靠性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STP60NS04Z具有极低的导通电阻(Rds(on)),典型值为0.014欧姆。这意味着在导通状态下,MOSFET的损耗非常低,从而提高了系统的整体效率。

    - 高电流能力:STP60NS04Z的最大连续漏极电流(ID)为60A,这使得它非常适合需要处理高电流的应用。它的脉冲漏极电流甚至可以达到240A,能够应对瞬间的电流冲击。

    - 耐高压:该器件的漏源击穿电压(Vds)为40V,确保其在较高电压环境下的稳定性和可靠性。这个参数使得STP60NS04Z适合在多种高压应用中使用。

    - 快速开关性能:STP60NS04Z具有快速的开关特性,其典型的总栅极电荷(Qg)为82nC。这种快速开关能力使其在高频应用中表现出色,能够有效减少开关损耗。

    - 优良的热性能:STP60NS04Z的热阻(RthJC)为1.25℃/W,这意味着它在高功率应用中能够有效地散热,维持低温度运行,提高器件的可靠性和寿命。

    综上所述,STP60NS04Z凭借其优异的性能特点和广泛的应用场景,成为许多高性能、高可靠性系统中的关键元件。它的低导通电阻、高电流能力、耐高压、快速开关性能以及优良的热性能,确保了其在各类电子设备和系统中的卓越表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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