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场效应MOS管STP60N3LH5参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:48AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.008ΩVRDS(ON)ld通态电流:24AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP60N3LH5是一款常用的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关特性。这款器件被广泛应用于各种电子电路和电力管理系统中。以下将详细介绍STP60N3LH5的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP60N3LH5常用于电源管理系统中,特别是在开关电源和DC-DC转换器中。它能够在高频率下工作,减少能量损耗,提高系统效率。

    2. 汽车电子:在汽车电子领域,STP60N3LH5被用作电动机驱动器和电池管理系统中的关键组件。其高电流处理能力和耐高压特性使其非常适合这一应用。

    3. 工业控制:STP60N3LH5还被广泛应用于工业控制系统中,用于驱动各种电机和负载。它的高可靠性和耐用性满足了工业环境中的严格要求。

    4. 通信设备:在通信设备中,STP60N3LH5用于功率放大器和信号调节电路。其快速开关特性能够有效提升通信速度和信号质量。

    5. 家用电器:STP60N3LH5也被应用于家用电器的电源控制部分,如空调和洗衣机中。它能够提供稳定的电流和电压控制,确保家电设备的高效运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STP60N3LH5的导通电阻非常低,这使得其在导通状态下的功率损耗非常小,有助于提高整个系统的能效。例如,其典型导通电阻为0.024欧姆。

    - 高电流处理能力:这款MOSFET的最大持续漏极电流可以达到60A,突显了其处理高电流的能力。这对于需要大电流的应用场景非常重要。

    - 耐高压特性:STP60N3LH5的漏源极电压(V_DS)最大值为30V,使其能够在较高电压下稳定工作,适应各种复杂的电力环境。

    - 快速开关速度:STP60N3LH5具有快速的开关速度,其典型的开关时间为几十纳秒级别。这使得其在高频应用中表现优异,能够有效减少开关损耗。

    - 热性能优异:该器件的热阻较低,典型值为0.8°C/W,使其在高功率应用中能够有效散热,保持稳定工作。这对于长期工作的电子设备尤为重要。

    综上所述,STP60N3LH5凭借其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压特性和快速开关速度,被广泛应用于电源管理、汽车电子、工业控制、通信设备和家用电器等多个领域。其卓越的性能特点使其成为电子工程师在设计高效电路时的首选元件之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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