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MOS管STP5NK50ZFP参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:4.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STP5NK50ZFP是一种具有较高电压耐受能力的N沟道MOSFET,常用于多种电力电子应用中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STP5NK50ZFP常用作主功率开关器件。其高击穿电压和低导通电阻使其能够高效地处理高压输入,降低功率损耗,提高整体系统效率。

    2. 照明驱动:该器件适用于LED驱动电路,尤其是在需要调光功能的场合。STP5NK50ZFP能够在高频率下快速切换,提供精确的电流控制,有效提升LED的亮度调节性能。

    3. 电机控制:在小型电机驱动应用中,STP5NK50ZFP可作为电子开关元件,调节电机的启停和转速。其低开关损耗有助于减少电机控制电路的热量产生,延长设备使用寿命。

    4. 逆变器:在逆变器中,STP5NK50ZFP用于高效转换直流电到交流电。它的高频切换能力使得逆变器能够提供稳定的输出电压和频率,适用于太阳能发电系统等场合。

    5. 保护电路:由于其高耐压特性,STP5NK50ZFP可用于保护电路,防止电路过压损坏。它能在检测到异常电压时迅速响应,保护敏感的电子组件。

    二、参数特点:

    - 耐压高:STP5NK50ZFP的漏源击穿电压为500V,适合处理高压电路。这使得它在高压电源和工业应用中表现出色。

    - 低导通电阻:在VGS为10V时,典型的导通电阻为1.7Ω。这一特性使其在导通状态下的功率损耗较低,有助于提高能效。

    - 低栅极电荷:该器件的总栅极电荷(Qg)为18nC,这意味着STP5NK50ZFP能够以较低的栅极驱动电流实现快速切换,提高了开关速度。

    - 高峰值电流处理能力:STP5NK50ZFP的最大连续漏极电流为4.2A,而在脉冲模式下可承受的最大电流高达16.8A,适合应对突发的电流需求。

    - 热阻低:该器件的结-环境热阻为62.5°C/W,具有良好的散热性能。在封装设计上,STP5NK50ZFP采用了TO-220FP封装形式,提供了较大的散热面积,进一步提升了其在高功率应用中的可靠性。

    综上所述,STP5NK50ZFP凭借其卓越的电气性能和可靠性,被广泛应用于各种高压高频电路中,是电子设计工程师的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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