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MOS管STP5NB80FP参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:2.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP5NB80FP是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。由于其高耐压和低导通电阻的特点,STP5NB80FP在开关电源、电机驱动、电动汽车充电器和太阳能逆变器等领域得到了广泛应用。在开关电源中,STP5NB80FP用于提升转换效率和减少开关损耗。其高耐压特性使其能够承受高电压条件下的操作,适用于工业和消费电子领域的多种电源管理应用。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP5NB80FP在开关电源中用于提升转换效率和减少开关损耗。

    2. 电机驱动:该器件在电机驱动应用中广泛使用,提供高效、稳定的电流控制。

    3. 电动汽车充电器:STP5NB80FP在电动汽车充电器中,用于控制和调节充电过程中的电流和电压,确保充电的安全性和效率。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,该元件有助于实现直流电向交流电的高效转换。

    二、参数特点:

    - 高耐压:STP5NB80FP的漏源电压(Vds)最大为800V,适合高压应用。

    - 低导通电阻:其导通电阻(Rds(on))在10V栅极电压下仅为1.2Ω,确保低功耗。

    - 高电流能力:STP5NB80FP的最大漏极电流(Id)为5A,适用于中等功率的应用。

    - 快速开关速度:低栅极电荷(Qg)使该元件具有快速开关特性,减少开关损耗。

    - 热稳定性:STP5NB80FP具有优异的热稳定性,能够在高温环境下可靠工作。

    综上所述,STP5NB80FP凭借其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,广泛应用于各种电力电子领域。它不仅适合于高效的电源管理,还能在多种应用场景中提供可靠的性能,是电力电子设计中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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