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MOS管STP5NB60FP参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:3AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP5NB60FP是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP5NB60FP常用于开关电源的主开关器件。它具有高耐压特性,能够在较高电压下稳定工作,适合用于工业和消费类电子产品中的DC-DC转换器和AC-DC转换器。

    2. 照明控制:在LED照明电路中,STP5NB60FP用于驱动LED灯珠。其低导通电阻和快速开关特性,使其能够高效地控制电流,从而实现调光和稳定输出。

    3. 电机驱动:该MOSFET常用于低功率电机的驱动控制,如风扇和小型电动机。STP5NB60FP能够提供足够的电流驱动能力,同时保持低功耗,延长电池寿命。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,STP5NB60FP可用作保护电路的一部分,以防止电池过充、过放电。其快速响应特性能够及时切断电路,保护电池的安全。

    5. 音频放大器:在音频设备中,STP5NB60FP可用于D类放大器的输出级。其高效率和低失真特性,使其能够提供高质量的音频输出。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:该器件的漏源极耐压(Vds)高达600V,适合在高压环境下工作,提供了良好的电压隔离能力。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(Rds(on))仅为1.4Ω,这意味着在导通状态下,能量损耗较低,提高了电路的整体效率。

    - 栅极电荷:STP5NB60FP具有较低的栅极电荷(Qg),这使得其能够快速开关,有助于降低开关损耗,特别适合高频开关应用。

    - 耐高温性:该器件的最大结温(Tj)可达150°C,具备良好的热稳定性,在高温环境下也能可靠工作。

    - 封装形式:STP5NB60FP采用TO-220FP封装,这种封装具有良好的散热性能,同时提供了电气隔离,适合需要高安全性的应用。

    综上所述,STP5NB60FP是一种性能优越的功率MOSFET,适用于多种电子设备和系统中,特别是在需要高效率和高耐压的场合。它的高品质和可靠性使其成为工业和消费类产品中不可或缺的关键元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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