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MOS管STP5NB100FP参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:1000VRDS(ON)Ω内阻:2.7ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP5NB100FP是一款具备高电压能力的N沟道功率MOSFET,常用于各种电子设备中的高压开关和电源管理。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STP5NB100FP在开关电源中作为开关元件,能够在高频下快速切换,提高转换效率。其1000V的耐压能力使其适合用于高压输入的电源转换应用,如工业电源和电动汽车充电器等。

    2. 功率因数校正(PFC)电路:在PFC电路中,STP5NB100FP能够有效提升系统的功率因数,减少谐波失真,提高电能利用率。其高电压和低导通电阻特性使其在大功率应用中表现优异。

    3. 不间断电源(UPS):STP5NB100FP的高耐压和高效率特性,使其在UPS系统中用作主开关,能够迅速响应电力中断,确保负载的持续供电。

    4. 电机驱动器:在工业和家用电器的电机控制中,STP5NB100FP用作逆变器中的开关元件,实现电机的高效驱动和控制。

    5. 高压放大器:该器件也可用于高压放大器电路中,提供高增益和宽频带的信号放大功能,适用于通信和音频设备。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:该MOSFET的漏源电压(VDS)最高可达1000V,适用于高电压应用。其高耐压性能确保在高电压环境下的安全可靠性。

    - 导通电阻:在典型的VGS=10V下,STP5NB100FP的导通电阻(RDS(on))为3.8Ω,导通电阻较低,能够减少功率损耗,提升整体电路的效率。

    - 电流能力:其最大漏极电流(ID)为5A,能够满足中等功率负载的需求。对于需要高可靠性的应用,STP5NB100FP表现出优异的电流处理能力。

    - 开关特性:STP5NB100FP具有快速的开关速度,适合高频应用。其开关时间短,能够减少开关损耗,提高电源转换效率。

    - 封装和热特性:STP5NB100FP采用TO-220FP封装,具有良好的散热性能。该封装形式能够有效散热,降低器件的热阻,使其在高功率条件下保持稳定工作。

    综上所述,STP5NB100FP因其高耐压、低导通电阻和良好的热管理能力,被广泛应用于需要高可靠性和高效率的电源管理和开关电路中。其在不同应用场景中的表现,使其成为许多高电压电路设计中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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