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MOS管STP5N60FI参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:3.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP5N60FI是一款N沟道功率MOSFET,主要用于高效开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电子镇流器和电机控制等领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 高效开关电源:STP5N60FI在高效开关电源中,提供快速的开关速度和低损耗,提升系统效率。

    2. 不间断电源:在不间断电源(UPS)中,STP5N60FI的高耐压特性和低导通电阻确保设备的稳定运行。

    3. 电子镇流器:在电子镇流器中,STP5N60FI能处理较大的电流和电压,确保灯具稳定工作。

    4. 电机控制:用于电机控制时,STP5N60FI的快速开关性能和高温表现非常适合。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:STP5N60FI的漏源击穿电压为600V,适用于高压应用。

    - 低导通电阻:导通电阻(RDS(on))为1.7欧姆(典型值),在通态时损耗较低。

    - 快速开关:栅极电荷Qg为29nC,实现快速开关,降低开关损耗。

    - 优异的热性能:STP5N60FI最大连续漏极电流为4.5A,适用于高温和高电流工作条件。

    - 封装类型:采用TO-220FP封装,具有良好的散热性能。

    综上所述,STP5N60FI在高效能和高可靠性应用中具有显著优势,其广泛的应用场景和优异的参数特点使其成为许多电源管理和控制系统的理想选择。STP5N60FI的低导通损耗和高开关速度特点,提升设备整体性能,是工程师的可靠选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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