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场效应MOS管STP5NK52ZD参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:4.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:520VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STP5NK52ZD是一款常见于多种电力电子设备和系统中的MOSFET(场效应晶体管)。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,STP5NK52ZD通常用于高效电能转换。由于其出色的导通电阻和开关速度,能显著提升开关电源的效率,减少能量损耗。

    2. 电机驱动:STP5NK52ZD适用于各种电机驱动电路,特别是需要快速响应和高效能的应用场合。其快速开关特性使其能够准确控制电机的启动和停止。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STP5NK52ZD常被用于逆变器部分。其高耐压和高电流处理能力,使其在转换太阳能为交流电的过程中发挥关键作用。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STP5NK52ZD用于电池管理和电能转换。其高可靠性和高效能确保了UPS系统在电力中断时的稳定供电。

    5. 工业控制系统:STP5NK52ZD广泛应用于各种工业控制系统中,尤其是在需要精确控制和高效能的场景下。其良好的电流处理能力和耐高压特性,保证了系统的可靠运行。

    二、参数特点:

    - 额定电压和电流:STP5NK52ZD的漏源电压(Vds)为520V,额定漏源电流(Id)为4.5A。这些参数使其适用于高压高电流的应用场合,提供了充足的电流处理能力。

    - 导通电阻:STP5NK52ZD的导通电阻(Rds(on))非常低,为1.5Ω,这意味着在导通状态下,它的功耗较低,有助于提高整个电路的效率。

    - 开关速度:STP5NK52ZD具有极快的开关速度,其开关时间在几十纳秒范围内。这使得它非常适合需要快速响应的电路,如开关电源和电机控制系统。

    - 热管理:STP5NK52ZD具有良好的热管理特性,其结壳热阻(Rthj-case)为3.57°C/W。这意味着它能够有效地散热,避免过热损坏,确保器件的长期可靠运行。

    - 封装形式:STP5NK52ZD采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,适合多种安装方式,便于在各种应用场合中使用。

    综上所述,STP5NK52ZD以其优异的电气性能和可靠性,成为众多电力电子设备和系统的理想选择。其在开关电源、电机驱动、太阳能逆变器、不间断电源及工业控制系统中的广泛应用,充分展示了其在高效能和高可靠性方面的卓越表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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