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场效应MOS管STP5NB80参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:2.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP5NB80是一种N沟道功率MOSFET,其在电子电路中有广泛的应用。本文将详细介绍STP5NB80的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP5NB80常用于开关电源(SMPS)中。其高效的导通和关断特性使其能够在开关电源中实现高效能量转换,从而减少热量产生,提高电源的整体效率。

    2. 电机驱动:在电机控制应用中,STP5NB80能够提供精确的电流控制和快速响应时间,这对于需要快速启停和变速控制的电机驱动非常重要。其高耐压和高电流能力使其适合用于各种类型的电机驱动电路。

    3. 照明系统:STP5NB80在LED照明驱动电路中也有广泛应用。它能够有效控制LED的电流,确保恒流输出,从而延长LED的使用寿命,并提供稳定的光输出。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,STP5NB80被用于控制各种电气设备,如风扇、电动窗户和照明系统。其高可靠性和耐用性确保了在苛刻的汽车环境中仍能稳定工作。

    5. 逆变器和转换器:在逆变器和直流-直流转换器中,STP5NB80通过其快速切换和低导通电阻,提高了电路的转换效率,使其在可再生能源系统和电池管理系统中发挥重要作用。

    二、参数特点:

    - 导通电阻低:STP5NB80的典型导通电阻为1.6欧姆,这意味着在同样电流条件下,产生的功耗较低,有助于提高电路的整体效率和减少散热需求。

    - 高耐压:STP5NB80的漏源击穿电压(Vds)高达800V,使其能够在高电压环境下工作。这对于需要处理高电压的电源管理和逆变器应用非常关键。

    - 大电流能力:该MOSFET的最大连续漏电流(Id)为5A,这使其能够处理较大电流,适用于需要大功率输出的应用场景。

    - 快速切换速度:STP5NB80的栅极电荷(Qg)较低,这使得其具备快速开关能力,有利于提高高频开关电源和其他快速响应电路的性能。

    - 热性能优良:STP5NB80的结-壳热阻(Rthj-c)较低,典型值为3.5°C/W,这意味着其在高功率应用中能够有效地散热,确保器件在高温下稳定运行。

    通过上述分析,可以看出STP5NB80是一款性能优良、应用广泛的N沟道功率MOSFET,其在电源管理、电机驱动、照明系统、汽车电子和逆变器等多种领域都有着重要的应用。其低导通电阻、高耐压、大电流能力、快速切换速度以及优良的热性能,使其成为各种高效电路设计的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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