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场效应MOS管STP5NB60参数

PD最大耗散功率:100WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP5NB60是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP5NB60常用于开关电源中,提供高效的电能转换。它能够在高频率下工作,确保电源输出的稳定性和效率。

    2. 电动机驱动器:在电动机控制系统中,STP5NB60可以作为开关元件来控制电动机的启停和速度调节,具有快速响应和低损耗的特点。

    3. 逆变器:在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中,STP5NB60被用于转换直流电为交流电,其高耐压和高效的开关特性使其在这种应用中表现出色。

    4. 照明控制:STP5NB60可用于LED照明和HID照明的驱动电路,提供稳定的电流控制,延长照明设备的使用寿命。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,STP5NB60常用于电池管理系统、电子燃油喷射系统和电动助力转向系统中,以提供可靠的开关控制。

    二、参数特点:

    - 耐压能力高:STP5NB60的漏源极电压(Vds)为600V,使其能够在高压环境下工作,适用于各种高压应用场景。

    - 导通电阻低:该器件的典型导通电阻(Rds(on))仅为1.7Ω,确保了低导通损耗,提高了整体电路的效率。

    - 快速开关速度:STP5NB60具备快速的开关特性,典型的开关时间为10ns(上升时间)和20ns(下降时间),这使得其能够在高频率的应用中表现优异。

    - 高电流能力:其连续漏极电流(Id)为4A,脉冲漏极电流(Id,pulse)更是高达16A,满足了大电流应用的需求。

    - 热性能优越:STP5NB60具有较低的热阻(Rθjc),为2.5°C/W,保证了在高功率条件下的良好散热性能,从而提高了器件的可靠性和使用寿命。

    综上所述,STP5NB60凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关和优异的热性能,成为电子电力领域中不可或缺的重要元件,广泛应用于各种需要高效开关控制的场合。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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