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场效应MOS管STP5NB40参数

PD最大耗散功率:80WID最大漏源电流:4.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:1.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP5NB40是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP5NB40常用于开关电源(Switching Power Supply)中,作为主开关器件。其快速开关速度和低导通电阻使其在高频率的开关电源中表现出色,能够有效提高电源的效率并减少功耗。

    2. 电机驱动:在电机控制领域,STP5NB40常被用作电机驱动器件。它能够提供足够的电流和电压处理能力,确保电机运行的稳定性和效率。同时,其耐高压特性使其适用于各种工业电机控制系统。

    3. 太阳能逆变器:STP5NB40也常用于太阳能逆变器中。它的高效能和高可靠性使其在将直流电转换为交流电的过程中,能够有效降低转换损耗,提高逆变器的整体效率。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统(Battery Management Systems, BMS)中,STP5NB40用来管理充放电过程。其高效的开关特性和低漏电流能够确保电池在充电和放电过程中的安全性和高效性。

    5. 音频放大器:STP5NB40在音频放大器中也有应用,主要用作输出级的功率放大器。其低导通电阻和高电流处理能力能够提供清晰、强劲的音频输出。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(Vdss):STP5NB40的漏源电压为400V,这使其能够处理高电压应用,适用于需要高电压耐受能力的电路设计中。

    - 导通电阻(Rds(on)):STP5NB40的导通电阻为1.7Ω,这一低导通电阻特点使其在工作时的能量损耗较低,能够有效提高系统的效率,减少热损耗。

    - 最大漏极电流(Id):STP5NB40的最大漏极电流为5A,这使其能够在高电流应用中表现出色,提供足够的电流传输能力,确保电路的稳定运行。

    - 栅极电荷(Qg):STP5NB40的栅极电荷为24nC,这使其在高速开关应用中具有良好的表现。较低的栅极电荷意味着更快的开关速度,能够满足高频应用的需求。

    - 工作温度范围:STP5NB40的工作温度范围为-55°C至175°C,宽广的温度范围确保其在各种恶劣环境下都能稳定工作,适用于工业和汽车电子等应用场景。

    综上所述,STP5NB40以其出色的性能和广泛的应用场景,成为电子工程师们的常用选择。其高电压、高电流处理能力,以及低导通电阻和快速开关速度,使其在各种电子电路中都能发挥重要作用。不论是在开关电源、电机驱动,还是太阳能逆变器、电池管理系统和音频放大器中,STP5NB40都展示出其优异的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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