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场效应MOS管STP5NB100参数

PD最大耗散功率:135WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:2.7ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP5NB100是一款N沟道功率MOSFET,它在许多电子电路中具有广泛的应用,尤其适用于需要高效能和高可靠性的场合。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP5NB100常用于DC-DC转换器和AC-DC转换器中,用于提高电源转换效率。它能够在较低的导通电阻下处理高电流,使其成为电源管理电路中的理想选择。

    2. 电机驱动:在电机控制应用中,如无刷直流电机和步进电机驱动器,STP5NB100可用于控制电流和电压,确保电机的平稳运行和高效能。

    3. 照明系统:LED照明系统中,STP5NB100可以用于恒流驱动电路,以提供稳定的电流输出,延长LED灯的使用寿命,并提高能效。

    4. 电动工具:在便携式电动工具中,STP5NB100用于控制电池供电系统,以提高电池的使用效率和工具的性能。

    5. 消费电子:如平板电脑、智能手机和其他便携设备,STP5NB100可用于充电电路和电源管理系统,以确保设备的快速充电和高效运行。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(VDS):100V。这意味着STP5NB100能够承受高达100伏的漏源电压,使其适用于高电压应用。

    - 最大连续漏极电流(ID):5A。STP5NB100能够在连续工作状态下处理高达5安培的电流,适用于需要高电流处理能力的应用。

    - 导通电阻(RDS(on)):最大0.1Ω。低导通电阻是STP5NB100的显著特点之一,这有助于减少功耗并提高效率。

    - 栅极电荷(Qg):典型值为20nC。低栅极电荷使STP5NB100能够快速切换,适用于高频应用。

    - 热阻(RthJC):最大2.5°C/W。优良的热阻特性使STP5NB100在高功率应用中能够有效散热,确保器件的稳定性和可靠性。


    综上所述,STP5NB100不仅在电源管理、电机驱动和照明系统中表现出色,其低导通电阻、高电流处理能力和优异的热阻特性使其成为高效能和高可靠性应用中的理想选择。无论是在工业应用还是消费电子中,STP5NB100都能满足不同场合的需求,提供优异的性能表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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