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场效应MOS管STP5NA80参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:4.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:2.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.25~3.75VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP5NA80是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于多个电子领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,STP5NA80常用于主开关管,因其具备高效能低导通电阻和快速开关特性,能有效提升电源的效率和性能。

    2. 照明控制:在LED照明和其他照明设备中,STP5NA80作为开关元件,能提供稳定的电流控制,保证灯具的长寿命和高可靠性。

    3. 电机驱动:STP5NA80能够处理较高的电流和电压,非常适合用于直流电机的驱动电路中,确保电机的平稳启动和运转。

    4. 逆变器和变频器:在逆变器和变频器中,STP5NA80由于其良好的开关特性,能够提高逆变和变频的效率,减少能量损耗。

    5. 音频放大器:在音频放大器中,STP5NA80的低导通电阻和高电流处理能力,能够提供清晰稳定的音频输出。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(Vds):800V。STP5NA80可以承受高达800伏的漏源电压,适用于高压应用场景,确保电路的安全和可靠性。

    - 最大漏极电流(Id):5A。在25°C环境下,STP5NA80可以处理最高5安培的连续漏极电流,适用于需要大电流的场合。

    - 最大功耗(Ptot):150W。STP5NA80具有较高的功率处理能力,能够有效散热,适合高功率应用。

    - 导通电阻(Rds(on):1.7Ω。低导通电阻使得STP5NA80在工作时产生的功耗更低,提高了整体电路的效率。

    - 栅极电荷(Qg):50nC。较低的栅极电荷使STP5NA80能够快速开关,减少了开关损耗,适用于高频应用。

    通过上述分析,STP5NA80的高耐压、大电流处理能力以及低导通电阻等参数特点,使其成为各种高效能电子设备中的理想选择。同时,在不同应用场景下的广泛使用,进一步证明了其优越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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