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场效应MOS管STP5NA50参数

PD最大耗散功率:100WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.25~3.75VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP5NA50是一款常用的N沟道场效应晶体管,具有广泛的应用场景和一些独特的参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP5NA50可以用于开关电源的设计,例如开关模式电源或者直流-直流转换器。其低导通电阻和高耐压特性使其能够有效地控制电源的输出。

    2. 照明应用:在LED照明系统中,STP5NA50可以作为功率MOSFET用于开关和调节电流。其高耐压和低导通电阻有助于提高LED照明系统的效率和稳定性。

    3. 电机驱动:对于需要高功率输出的电机驱动系统,STP5NA50可以用作功率开关元件,实现电机的高效控制和驱动。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,STP5NA50可以用于发动机控制单元、电源管理模块以及其他需要高功率开关的电路中。

    5. 工业自动化:在工业控制系统中,STP5NA50可以用于各种开关电路,例如工业电源、电机驱动器、以及自动化控制系统中的功率开关。

    二、参数特点:

    1. 高耐压特性:STP5NA50具有较高的耐压能力,一般可达500V,这使得它适用于各种需要承受高电压的应用场景。

    2. 低导通电阻:该型号的MOSFET具有较低的导通电阻,能够在开启状态下减小功率损耗,提高效率。

    3. 高温工作能力:STP5NA50具有良好的高温工作能力,能够在较高的环境温度下稳定工作,适用于一些高温环境下的应用场景。

    4. 快速开关特性:具有快速的开关速度,可实现快速的开关操作,适用于需要高频率开关的电路设计。

    5. 可靠性:STP5NA50具有良好的可靠性和稳定性,经过严格的质量控制和测试,可确保在长期使用中稳定可靠。

    综上所述,STP5NA50在各种功率控制和开关电路中都有广泛的应用,其高耐压、低导通电阻、高温工作能力等特点使其成为许多电子系统设计的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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