PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:5.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 开关电源(SMPS):STP5N80常用于开关电源中的主开关管。其高击穿电压和低导通电阻使其能够在高电压、高频率环境下高效工作,提供稳定的电源输出。
2. 高压变换器:在高压变换器电路中,STP5N80可以有效地转换高电压电源,提供安全、稳定的电压转换效果。
3. 照明系统:STP5N80适用于LED照明和HID灯具等高效照明系统中,能够提高能效并减少功耗。
4. 电动机驱动:在电动机控制和驱动电路中,STP5N80的快速开关特性和低功耗优势使其成为电动机驱动电路的理想选择。
5. 逆变器:在逆变器电路中,STP5N80用于高效能量转换,特别是在太阳能和风能发电系统中,提供高效、稳定的电能输出。
二、参数特点:
- 击穿电压(VDS):STP5N80的击穿电压为800V,这意味着它可以在高达800V的电压下安全运行,适用于高电压应用场景。
- 导通电阻(RDS(on):STP5N80的最大导通电阻为1.7Ω,低导通电阻有助于降低导通损耗,提高整体电路效率。
- 漏极电流(ID):STP5N80的连续漏极电流为5A,脉冲漏极电流可以高达20A,能够在高电流应用中提供稳定的电流输出。
- 栅极电荷(Qg):STP5N80的总栅极电荷为34nC,低栅极电荷有助于提高开关速度,降低开关损耗。
- 热阻(RthJC):STP5N80的结到壳的热阻为1.25°C/W,良好的热性能有助于在高功率应用中保持器件的稳定性和可靠性。
综上所述,STP5N80凭借其高击穿电压、低导通电阻和良好的热性能,被广泛应用于开关电源、高压变换器、照明系统、电动机驱动和逆变器等多种领域,是一款性能优异的功率MOSFET。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
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