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场效应MOS管STP55NF03L参数

PD最大耗散功率:80WID最大漏源电流:55AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.013ΩVRDS(ON)ld通态电流:27.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP55NF03L是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在电源管理系统中,STP55NF03L常用于开关电源的开关元件。它的高效能和低导通电阻使其在电源转换过程中能够有效减少能量损耗,提高整体效率。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,STP55NF03L可用于控制直流电机和步进电机。其高电流承载能力和快速开关特性使其能够精确控制电机的转速和方向。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,STP55NF03L作为关键开关元件,有助于将直流电转换为交流电。其高效率和耐用性使其能够在长期运行中保持稳定性能。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,STP55NF03L用于电池充放电控制。它能够有效管理电池的电流流动,确保电池的安全和长寿命。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,STP55NF03L被用于电控单元(ECU)、电动窗和灯光控制等模块。其耐高压和高电流特性使其能够满足汽车电子系统的严苛要求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STP55NF03L的典型导通电阻为0.018欧姆,这使得它在导通状态下能量损耗极低,有助于提高系统效率。

    - 高电流承载能力:STP55NF03L最大持续漏极电流为50安培,使其能够处理大电流应用,适用于高功率设备。

    - 高击穿电压(VDSS):STP55NF03L的击穿电压为30伏特,这使得它在高电压环境下仍能稳定运行,防止击穿失效。

    - 快速开关速度:STP55NF03L的快速开关特性使其能够在高频应用中表现优异,减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。

    - 低栅极电荷(Qg):STP55NF03L的栅极电荷典型值为67纳库伦,这意味着它需要较低的驱动功率,有助于实现高效的驱动控制。

    综上所述,STP55NF03L作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,其低导通电阻、高电流承载能力、高击穿电压、快速开关速度以及低栅极电荷等特点,使其在各类高效能和高可靠性应用中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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