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场效应MOS管STP50N06L参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:50AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.028ΩVRDS(ON)ld通态电流:25AVRDS(ON)栅极电压:5VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP50N06L是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。以下详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP50N06L在开关电源中被广泛使用。这种MOSFET能够在高频率下工作,使其非常适合用于DC-DC转换器和AC-DC转换器。它的低导通电阻确保了高效率,从而减少了热量的产生。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,STP50N06L可以用作H桥驱动器的一部分。其快速开关特性和低导通电阻使其能够有效地驱动直流电机和步进电机,提供高效且稳定的运行。

    3. 逆变器:逆变器需要快速切换和高效能的器件,STP50N06L在此类应用中表现出色。它能够在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中提供稳定的功率转换。

    4. 汽车电子:在汽车电子中,STP50N06L常用于控制各种负载,如电动窗、风扇和灯光系统。其高耐压和高电流处理能力使其能够满足汽车应用中的苛刻要求。

    5. 音频放大器:高保真音频放大器需要低失真和高效率的功率放大器,STP50N06L能够提供所需的性能。它的高输入阻抗和低输出阻抗使其在音频信号放大中具有优异的表现。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STP50N06L的Rds(on)值非常低,仅为0.022欧姆,这意味着它在导通状态下的功率损耗非常小。这一特性使其在高效电源管理和热量控制方面表现突出。

    - 高耐压:STP50N06L的漏源极电压(Vds)高达60伏,这使得它能够在高电压应用中安全运行。该器件能够处理较大的电压应力,适用于需要高电压控制的电路。

    - 高电流处理能力:STP50N06L的连续漏极电流(Id)为50安培,这使其能够处理大电流负载。无论是在电机驱动还是在开关电源中,它都能提供可靠的电流传输。

    - 快速开关速度:由于其低栅极电荷(Qg),STP50N06L具有非常快的开关速度。这使其在高频应用中表现优异,能够有效减少开关损耗,提高系统效率。

    - 热特性:STP50N06L具有良好的热特性,最大结温(Tj)可达到175摄氏度。它的热阻(Rth)较低,使其能够在高功率应用中有效散热,保持稳定运行。

    综上所述,STP50N06L凭借其低导通电阻、高耐压、高电流处理能力、快速开关速度和优良的热特性,成为众多应用场景中的理想选择。它在开关电源、电机驱动、逆变器、汽车电子和音频放大器等领域展现了卓越的性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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